なかのにっき
最新版はこちら。
突っ込みは各日付の BBS エントリのほか、
メール (nakano@st.seikei.ac.jp) や
フォーム
からどうぞ。
なおスパム除けのため、BBS 機能には
緩い認証を入れて
います。
検索エンジンから来た方は、エンジンの方のキャッシュを見るか、
下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
#1
CITIBANK
とりあえず第一勧銀の普通口座からズババと落として入金してみた。
給料の振込口座も変更したいな。できるかな。
#3
fr196.pc.mycom.co.jp
久々に凶悪なアクセス。
% grep fr196.pc.mycom.co.jp /var/log/apache/access_log | wc
4897 58764 699135
% grep fr196.pc.mycom.co.jp /var/log/apache/access_log | grep diary | wc
2312 27744 327267
サーバ用の motherboard に ASUS CUSL2 を買ったので、下調べ。
まあ X 動かなきゃあきらめるだけなのでいいのだが。
potato をさくっとインストール。
rescue, root, driver-[123] で、base は NFS インストール。
/boot に 128M, swap 512M, / に 2G。
残りは reiser で適宜確保する予定。
＠
dual NIC:
1枚目の NIC の HWaddr: 00:90:CC:0F:B8:8D。
こっちが eth0 でローカル側。上の方にあるカード。
＠
reiser:
にいって
を /usr/src に取得。
apt-get install kernel-source-2.2.17 して展開したあと、
# cd /usr/src/linux
# zcat ../linux-2.2.17-reiserfs-3.5.25-patch.gz | patch -p1
で無事当たる。
あとは普通にカーネルをつくる。
make menuconfig のときに文句いわれたので、
libncurses5-dev を入れる。ううむ auto-apt ほしいのお(^^;
カーネルができ、 lilo →無事リブートしたところで、
# cd /usr/src/linux/fs/reiserfs/utils/
# make
# make install
cfdisk で /dev/hda を切り直して (OStype は 83) いっぺんリブート、
mkreiserfs /dev/hda6, mkreiserfs /dev/hda7 して、
/etc/fstab に以下のように追記。
/dev/hda6 /home2 reiserfs rw 0 0
/dev/hda7 /var/spool/squid reiserfs rw 0 0
fsck パスは 0 (tnx > ずぼんさめ)。
リブートして無事マウントを確認。
入換えた。メールにはまる。
sendmail を使っているのだが、
従来はパッケージに付属の mail.local でローカル配送していたのが、
debian だと /usr/bin/deliver に変わった。
こちらでは CF デフォルトの -d フラグがつくと、
実際には配送が行われない、というのが一点。
それから /etc/shells にユーザの passwd 行のシェルが登録されてないと
(username) doesn't have a valid shell for mailing to programs
というエラーになって .forward 経由の自動振り分けがきかない、
というのがもう一点。
後者には特にはまり、一時は sendmail をあきらめかけて
exim, postfix などをさまよい、
こっちでは localnet からの relay ができなかったりしてさんざんな目にあった。
exim は /etc/exim.conf に
host_accept_relay = "192.168.1.6"
と書いておいても 192.168.1.6 からの relay を
------------------------------------------------------------------------------
2000-09-12 01:02:22 unqualified recipient rejected: <nakano> H=migrate.babalab.a
p.seikei.ac.jp [192.168.1.6]
------------------------------------------------------------------------------
といって断ってくれる。直感的でないな、と思う。
まあちゃんとドキュメント読めばいいのだろうが...
＠
hns 関係:
debian の apache だと、hns の CVS ツリーからざくっと入れられるのでやってみた
*1
。最初 cgi ソースが直に見えちゃっていたのだが、
~/public/diary/.htaccess に
AddHandler cgi-script .cgi
Options +ExecCGI
を付けたら解決。まあ apache の設定なんでしょね。
*1: これまでは httpd の uid が nobody じゃなかったので、
インストール後に permission をいじらなければいけないのが
ちょっと面倒だった。
#2
[LDP] 9/11 の update
新着分は reverse にしてみた :-)
n 年日記機能も、あと１ヶ月くらいで楽しめるようになるなあ :-) :-)
いろいろ移行・追加
昔おもしろ半分で入れたのに、学内のユーザがついてたのを忘れてた。
本体は /usr/lib/cgi-bin/nph-npc.cgi, インデックスは
/var/lib/nph-npc/npc.idx にした。
＠
apop:
教授が APOP ユーザなので、
popauth で追加してもらう。
/usr/share/doc/qpopper 以下には、
パッケージの INSTALL にある APOP の解説に当たるものがないんだな。
＠
man-db:
mandb -c しないと、追加パッケージのマニュアルが読めないときがあるなあ。
なんでじゃろ。
#5
大学院試験
3 限物理学の監督。ううん、簡単な問題だったのだけれど、
できあまり良くないような...(^^;
やられたか(わら
#7
[labo] AVS registration
今日までだった。危なかった(^^;
#8
[linux] new surf (5) -- X
まず debian-users でちょうど i810 向けの話題があったので、
branden
さんのとこから
810-agpgart-module.tar.gz
を落とし、
川藤さん
のレポートに従って作業してみるも、
# insmod agpgart.o
agpgart.o: init_module: Device or resource busy
Hint: this error can be caused by incorrect module parameters, including invalid IO or IRQ parameters
であえなく敗退、さらに demsg には
Linux AGP GART interface v0.03 (c) Jeff Hartmann
-- Experimental distribution, only i810 enabled
agp_gart: no supported devices found
と出ており、どうやら i815 では使えないのだろうと判断。
というわけで、Intel の方から取ってきてみる。
ダウンロードページ
から辿って XFCom_i810-1.2-3.i386.rpm と I810Gtt-0.2-4.src.rpm を入手。
% rpm2cpio I810Gtt-0.2-4.src.rpm | cpio -i -d
% tar zxf I810Gtt-0.2.tar.gz
# make install
でインストールした agpgart.o は、あっさりと insmod できた。
dmesg の結果は
Linux AGP GART interface v0.2 (c) Jeff Hartmann
-- Experimental distribution, only i810 and i815 enabled
Got pages for a 64 megabyte mapping for the agp aperature.
i810_configure
と、こっちのほうがバージョンが新しいみたい。
勇躍 XF86_SVGA をスタートさせようと試みるが、
Debian の XF86_SVGA ではグラフィックメモリを取ってくれない。
ので、
% rpm2cpio XFCom_i810-1.2-3.i386.rpm | cpio -i -d
# cp usr/X11R6/bin/XFCom_i810 /usr/X11R6/bin
# cd /usr/X11R6/bin
# mv XF86_SVGA XF86_SVGA.potato
# mv XFCom_i810 XF86_SVGA
として、無事起動。万歳。
ちなみに
XF86Config
と
X 起動時の表示
はこんな感じ。
武藤さんの解説。
#10
[paper] 応用物理 2000 年 8 月号
「特集: 20世紀の応用物理をふりかえる」
と題して、すごい人達のレビューがたくさん。
知ってる名前だけでも、
兵藤申一(全般)、江崎玲於奈(半導体)、霜田光一(レーザー)、
新庄輝也(磁性)、田中昭二(超伝導)、
岡野光治(液晶)、金原粲(薄膜・表面)、
寺倉清之(計算物理)、板谷良平(プラズマ)、
甘利俊一(数理科学)。以上もちろん敬称略(^^;;;。
思わず読みふける。
金原先生のは reference も 100 以上、非常に勉強になる。
うーむ、こういうのを見せられると、やっぱかなわんと思ってしまうなあ...
勉強あるのみじゃ (←ちょっとやる気になったらしい)。
#1
[LDP] 9/13 の update
- Linux Security Quick Reference Guide
version: 1.0
author(s): Dave Wreski, <dave@guardiandigital.com>
Benjamin Thomas, <ben@guardiandigital.com>
last update: September, 2000
available formats:
PDF (150k),
PostScript (260k)
This Quick Reference Guide is formatted as a two-page, 8.5x11"
card and is intended to provide a starting point for improving
the security of your system. Contained within include references
to security resources around the net, tips on securing your
Linux box, and general security information.
* NEW entry
喉痛があったのでイヤな予感はしていたのだが、
午前中は咳・痰・鼻水の集中砲火。
午後になって回復したようなので出校。
#3
給料振込
CITIBANK に変更。書類書くとき、人事課の人に
「へえ、(口座所有者名) 英語なんですか〜」とちょっと驚かれた。
そういえばそうだな。
#5
[linux] /etc/apt/sources.list
取得先を RING servers から
地球流体電脳倶楽部
に変更。u-tokyo を使わせていただく。
ここは各 dists をきっちりミラーしてくれてるみたいでありがたい。
普段使いのデスクトップ (PIII 450MHz) のビデオカードを #9 FX Motion 771 PCI (S3 Vision968)
*1
から S3 Savage4 Pro (AGP) の 16M のカード
*2
に変更。
Savage では 24bpp が使えない
のを知らずにちと嵌まる。 32bpp にして解決。
XF86Config
はこんなかんじ。
linux-users ML, さくさん。
実は私もディレクトリの sgid ビットの役割を知ったのは最近だったり(^^;
#8
[paper] JMR 15(7) July 2000
＠
JMR 15(7) pp.1551 (2000):
β SiN に軸応力をかけて降伏、塑性変形させると、
grain の界面に amorphous な層ができる。
この厚さを HRTEM で測定した話。
応力に垂直な boundary の厚さは Poission 分布 like,
平行な方は 0 からぐぐっと下がって 8nm 辺りに小さな山。
#9
[paper] APL 76(25,26) 19,26 June 2000, 77(1) 3 July 2000
＠
APL 76(25) pp.3721 (2000):
固体 Ar の X 線励起ルミネッセンスの圧力依存性。
Diamond Anvil Cell で 7GPa 以上の圧力をかけて測定。
だいたい 16000 cm^-1 くらいの励起で、中心波長のピーク依存性は -44 cm^-1/GPa
くらいとのこと。
むかし、スパッタ膜中の implanted Ar からのこの発光使って
膜の応力を求めた話があった記憶があるが...
＠
APL 76(25) pp.3727 (2000):
Al 伝導線の EM によって生じた応力分布測定。
X-ray microbeam topography techique。
伝導方向に応力の傾斜が生じ、これの電流密度依存性などを測っている。
＠
APL 76(26) pp.3882 (2000):
GaAs 上に MOVPE/MBE 成長させた (AlGa)As の cross section を STM
観察、 Al の short range ordering と界面 roughness を関連づけている。
MOVPE サンプルでは Al 濃度の勾配が界面付近にあり、
この領域での成長中の Al の運動が roughness に影響してるのでは、という議論。
＠
APL 77(1) pp.94 (2000):
Cu (In|Ga) (Se|Te) からなる
I-III-VI2, I-III3-VI5, I-III5-VI8 系三元化合物半導体の
バンドギャップを整理。特に Cu vacancy の有無による BE の違いに着目、
CB minimum と VB maximum のシフトによってうまく説明できる、とのこと。
Se と Te の違いについても議論している。
#10
[paper] PRL 84(25,26) 19,26 June 2000
＠
PRL 84(25) pp.5776 (2000):
2D 上での熱伝導のシミュレーションで、界面をフラクタルにしている。
計算は FEM。界面を越えて伝わる熱量は、fractal の作り方には
あまり依存せず、fractal 次元に影響されるとのこと。
＠
PRL 84(25) pp.5792 (2000):
Si(111) 上の EM の STM 観察。
大体 half cell に収まってるクラスタ (filled でも empty でも明点) が、
hop すると 数100angstrom 移動する、という知見が一点、
2D の single step island が EM で壊れるときは、下流側から
やせ細っていく、というのがもう一点。
＠
PRL 84(25) pp.5800 (2000):
750eV の Ar+ スパッタで荒らした ripple 構造の Si(111) の粗さを
昇温 (600〜700℃) して回復させ、振幅の現象を AFM で見た話。
exponential decay ではなく、(1+kt)^-1 に比例して減少していくとの結果
(k は温度と scale を含む定数)。
Ozdemir/Zangwill の理論でうまく説明できるとしている。
簡単な summary もある。
＠
PRL 84(26) pp.6078 (2000):
半導体-金属界面でよく見られる Fermi level pinning が、
従来いわれてきた gap state ではなく、
chemical bond の poralization によっても説明できるよ、との話。
いろいろな物質での値が universal な直線にうまくのっている。
＠
PRL 84(26) pp.6110 (2000):
Cu(111) の微斜面の angle resolved photoemission 観察。
miscut angle が 7deg を境に転移が起こり、
電子の波動関数が terrace に confine されている状態から、
表面全部に広がっているかたちに移行している、との解釈。
#1
PRL 85(1-3) 3,10,17 July 2000
85(1) はノーヒット。
＠
PRL 85(2) pp.326 (2000):
Al(111) を 300K で 1keV の Xe+ で叩いて STM 観察。
通常の想像とは逆に、盛り上がった island 構造が (しかも何層にも積み重なって)
できる、との結果。 Thermal spike で、
表面外むきへの atomic flow が生じるのだ、とのモデルを提案している。
＠
PRL 85(2) pp.349 (2000):
熱酸化させた SiO2/Si 界面を対象に pit をリソして、
粗さを light scattering で評価。 4 種類の波長と 3 種類の入射角で
ellipsometry し、表面・界面の粗さを評価している。
multilayer を扱うのには、
first-order vector perturvation theory というのを使っているらしい。
＠
PRL 85(3) pp.495 (2000):
X 線波長標準を、Fe の Mossbauer 効果を使ってつくる試み。
0.86 angstrom の波長が 0.19ppm オーダーで求まっている。
＠
PRL 85(3) pp.606 (2000):
Cu(111) 面上での Cu の diffusion が、
sulfer が吸着した表面では大きくなる現象があるそうなのだが、
これを Cu3S3 クラスタを VASP という ab initio calc. で扱い、
評価してみた話。こいつは formation energy 0.28eV で出来、
diffusion barrier は 0.35eV 以下になるとの計算結果。
＠
PRL 85(3) pp.614 (2000):
binary deposition の phase separation と surface roughness を
"brick wall" model でシミュレーションする試み。
#2
風邪なおった？
研究室のソファーで雑誌読んでたら力尽きて墜落入眠。そのまま８時間(笑)。
喉の調子はだいぶ良くなった、かな？
#3
[labo] AVS proceedings (3)
着いたとのメールが来る。間に合ったか、良かった良かった。
む、でもなんか "Please send a figure caption page" とか書いてある...
藤原さん @ debian-users:
> platex の縦書きで 明朝、ゴシック 以外のフォントを使うにはどうしたらい
> いのでしょうか。
調べたときのメモがあったので、参考にしてみてください。
dvi2ps, TrueTypeフォント用です。
fdファイルとstyファイルは横書きようです。
アップグレードバンドル無し版を申込。
以前の版のシリアル番号を (登録ユーザは)
その場で確認できる (メール送付) のが嬉しかった。よくできてるなぁ。
#6
[URL] 計算関連の RPM's
#7
[URL] squid のログ解析
本家のリンク集。
βだけど 2.0 では squid の解析もできるようになったらしい。どうしようかな。
LJ July 2000 issue, "Gri: a Language for Scientific Illustration" より。
This scripting language avoids integrating analysis and display
capabilities and instead focuses on providing precise and flexible
control over the display of technical material
さっそく apt-get install gri してみた。おもろそう。
ただ今は DNS がひけないみたい。
一部の .net ドメインもだめだし、うちの不調っぽいなあ。
#9
[paper] JJAP (part2) 39(8A,8B) 1,15 August 2000
＠
JJAP (part2) 39(8A) pp.L847 (2000):
TiO2 結晶 (Rutile, Anatase) のバンド計算。
Troullier-Martinse type と Teter type の pseudopotential を使った LDA。
＠
JJAP (part2) 39(8B) pp. (2000):
筑波大グループ。Cu2O 膜の reactive RF magnetron スパッタ。
XRD による結晶性、透過スペクトルからバンドギャップ、
Hall 測定、AFM morphorogy。基板温度 (RT, 400℃, 500℃) で整理。
#10
[paper] JJAP (part1) 39(7B,8) July, August 2000
7B は special issue。 "Surface Science for Micro- and Nano-Device Fabrication"
と題して、昨年 12 月に早稲田で開かれた ISSS-3 の proc 集。
特に hit はなし。
＠
JJAP (part1) 39(8) pp.4733 (2000):
p-Si/N2O/TiN の capacitor で TiN depo 中に受けるダメージを
Rapid Thermal Annealing で回復、flat-band voltage と
界面の状態密度を評価。
post treatment として、N2 プラズマで処理してあげると leak current が
抑制できるとか。
＠
JJAP (part1) 39(8) pp.4816 (2000):
東工大小長井研のグループ。 Cu(InGa)Se2 の成長最終段階で
Zn をドーピングして p→n conversion を生じさせ、
pn の homojunction を作ろうとする試み。
CIGS 成長後に Zn flux を当てるかたちで、太陽電池特性が向上。
最後の方の In+Ga+Se flux に Zn を混ぜるやり方はあまり良くなかったとのこと。
＠
JJAP (part1) 39(8) pp.4890 (2000):
理科大三浦さん。0.1 Pa 以下程度の Magnetron discharge で、
electron の escape を考慮に入れた放電モデル。電流を圧力で割った
"Discharge Intensity" が放電電圧・圧力・磁場にどう依存するかで整理。
実験との比較もある。
#11
[paper] PRB 61(22-24) 1,15 June 2000
半期分終わり。22 はノーヒット。
＠
PRB 61(23) pp.15649 (2000):
Liu 先生の binary metal amorphization のお話。
atomic volume の比と melting temperature から決まる
κというパラメータで整理できる、というのが今回の新機軸。
＠
PRB 61(23) pp.15993 (2000):
rough surface における exiton resonance 近辺での light scattering の理論。
first-order perturbation theory での取り扱い。
＠
PRB 61(23) pp.16029 (2000):
III-V 系化合物半導体でのヘテロエピにおける、
lattice match/mismatch と surface roughness の関係を
strain relaxation と関連させて議論。
＠
PRB 61(23) pp.16052 (2000):
Cu(InGa)Se2/CdS/ZnO の太陽電池構造の伝導特性。
liq.N2 温度以下で、DC conductance は variable range hopping model の
T^-1/4 依存、周波数依存性は ω^0.87 に比例するという結果。
defect states を通じての carrier 輸送であるとの考察。
＠
PRB 61(23) pp.16121 (2000):
Au/Si(111) の PEEM 測定、1x1 な 1ML Au と 7x7 Si の境界が、アニールとともに
5x1, ��3x��3 と領域が広がっていくのを観察、 diff. consts を求めている。
985K で、 7x7 上 5.2x10^-8 cm^2/s、5x1 上 1.2x10^-7 cm^2/s との結果。
＠
PRB 61(23) pp.16137 (2000):
TiN(001)/MgO なエピを反応性 dc スパッタで成長、 STM 観察。
基板温度は 650〜750℃
anode を一個余計に入れて N+ flux のenergy をコントロール、
43eV 程度の、defect production threshold 辺りのエネルギーだと、
roushness が減少する、との結果。
複数の layered mound からなる構造ができるが、その間隔が広がるとか。
top layer の critical radius についても言及。
＠
PRB 61(24) pp.R16355 (2000):
表面の回折と、バルクで一回回折した flux による散乱の干渉で、
表面回折の phase がわかるんではないかとの提案。 Ge(113)-3x1 構造で
実際に X 線をあてて干渉が生じるのを demonstrate している。
＠
PRB 61(24) pp.16948 (2000):
MgO(100)/Ag(100) の UPS & XPS/Auger 測定。
O 2p が Ag 5sp と強く混成すること、
またこの系が H2O の chemisorption に非常に大きな反応性を持っており、
電子状態と何らかの関係があるのではないかと議論。
#12
[paper] MRS Bulletin 25(8) August 2000
透明伝導性酸化物特集号。
東工大 (旧) 川副研の透明酸化物半導体による pn 接合形成、
金沢工大 南先生による 3 元系の review ほか。
#13
[LDP] 9/14 の updates
- LDAP Linux HOWTO
Luiz Ernesto Pinheiro Malere, malere@yahoo.com
v1.02, 13 September 2000
* updated
- Speech Recognition HOWTO
Stephen Cook scook@gear21.com
v0.5 September 13, 2000
Automatic Speech Recognition (ASR) on Linux is becoming easier.
Several packages are available for users as well as developers.
This document describes the basics of speech recognition and
describes some of the available software.
* NEW entry
#1
[paper] JAP 88(4-6) 15 August, 1,15 September 2000
名大後藤先生のグループ。
EBEP (Electron Beam Enhanced Plasma) という方法で作ったプラズマ中の
N atom density を optical absorption で測定。 EBEP は一種のリモートプラズマ
みたい。ref 9 が計算方法。
Mitchell & Zemansky "Resonance Radiation and Excited Atoms", Cambridge Univ. Press 1971。 amazon では 404 (^^; EB 電流・電圧、 N2 gas pressure に対する依存性。
これも 10^11 cm^-3 オーダーだね。
Spain のグループ。
CIGS の多結晶資料をアンプルで作って EDAX, XRD, 赤外反射。
いっぺんに組成傾斜のあるサンプルを作ったらしいが、なんかこれバラバラなような...
まあ赤外領域での振動子パラメータとかが載ってるので、使えるかも、くらい。
Ta or TiN 上に CVD で Cu を蒸着、roughness evolution, 界面の void formation
の研究。 nucleation の段階を AFM で観察、 PVD に比べて幅広めの height histgram。
界面の void 形成を Herring の論文に従って考察。coalescence が起こる前に
grain のかたちが spherical → non-spherical に変わると void が発生するとのこと。
CoPt-SiO2 の granular (〜10nm) な膜に CN を付け、"nanoscratch technique"
で adhesion を測定した話。diamond stylus, 1um/s 程度で 100um 引っ掻き、
全体で 0.02〜3.02mN の力増加。もとの CoPt-SiO2 の volume を変化させて
測定し、SiO2 への adhesion が強い、との結論。
Chalcopyrite 半導体の CuAlSe2 を単結晶成長、分光エリプソで各面を測り、
誘電テンソルを決定した。波長範囲は 1.4〜5.2eV。
Ar glow discharge でのガス温度の計算。1D。
イオン化過程を Monte Carlo、electron/ion density と electric field を出す。
ガス温度は thermal diff eq. で扱い、 Jourle 加熱モデル。
300V, 1mA/cm-2、1Torr 1.5cm gap で、cathode 付近の温度が
だいたい 340〜350K くらい。
静大/Anelva。 "supermagnetron plasma"
*1
のプローブ測定。
continuous/pulse-modulated rf。
electron density/temperature の圧力依存性、両電極の rf phase 依存性 (0/180deg)、
pulse modulation の duty time 依存性。
AFM cantilever の mechanical impedance を 〜70kHz までの領域で決定する話。
ミソは point force / sinusoidal force をチップに対向させた電極を使って
つくるところ。溶液中でも決定できる。
Hg 185nm radiation の decay time を測定した話。
two step pump, decay time の密度・buffer gas (Ar) 圧力依存性。
decay time の Monte Carlo model というのがあるらしく、
実験結果と割に良い一致。密度は 10^20〜22 m^-3 程度、
decay time は us オーダー。
話としては Cu OES の self absorption とちょっと似ている。
要読み込み。
Univ. of Wisconsin-Madison のグループ。
ionized Ar/Cu magnetron sputtering system の absorption 測定による
ground/excited state の Cu 原子の密度測定。モロかぶりだ(^^;。
光源は Xe lamp、圧力 10〜30 mTorr,
ターゲット径 34cm, sputter power 0〜200 W, rf 1000〜2000W で
groud state が 10^10〜12 cm^-3、 metastable が 10^10 くらい。
Ar の metastable も評価。
electro migration による stress 発生・分布の理論的モデル。
diffusion coefficient の応力依存性を取り込んだのが新機軸。
compressive の方が mobility 小さいので、compressive な領域が大きい
asymmetric な stress パターンになる、という結果。
CuIn_xTe_y (x=1,y=3 / x=3,y=5 / x=3, y=8) 各結晶の Raman スペクトル測定。
vibration mode をそれぞれ assign, teble にまとめてある。
*1: 両方の電極に RF 電圧印可するのをこう呼ぶらしい。なんじゃそりゃ(^^;
サーバとプリンタが入れ代わったので再調整。結果→ esca:/etc/margins.ps。
ふーむ、確かに 5.10→5.50 になったら align.ps の調整はきかなくなったな。
他のは合うみたいだけど...
目的別コマンドラインガイド。便利 :-)
#4
電通大ノード不通
だったらしい。しかしうちって kcom との dual になったんじゃなかったのか？
#5
[LDP] 9/15 の update
by 鵜飼さん。apt 系コマンドも書いてある :-)
Kondara の mph 系を含めた奴を誰か書いてくんないかしら (他力本願)。
#1
[linux] potato の gs-aladdin-vflib
どうも aip から落としてくる ps の下が欠けると思ってたら、
デフォルトは letter だったのね(^^;
フィルタで -sPAPERSIZE=a4 を指定して解決。
ついでに今まで /var/spool/lpd/lp に置いてあったフィルタを
/etc/lp を掘って移動 (gsfilter-ljet6)。 margins.ps もここに置く。
#2
[JM] 今日の commit
fenv.3 をちょっとやってみる。
これいつの libc から使えるんだろうか。
む、2.1.3 には fenv.h はあるみたいだな。
info libc でもちゃんと書かれてる。
＠
ついでに:
__setfpucw.3 も最新版に追随。
#3
サッカー五輪代表
祝連勝、だが中田英と森岡を欠いてブラジルと決勝トーナメント進出争いかー。
#4
[labo] AVS proceedings (4)
figure caption の件、今すぐ送れとの返事がきていた(^^;
メールで MsWord のファイルを送っても OK とのことだったので、
rtf で保存して winbiff から送ってみる。
上記の件もそうだが、 IMAP4 にして Win なクライアント (
WinBiff
) からもメールの読み書きができたらいいなあ、とか思ってみる。
mnews に IMAP パッチあてて deb にする技量があれば、だが。
いやしかし、結構 MH にも依存してるなあ... うーむ。
#6
[paper] JVST A18(4) July/August 2000
昨年の AVS 46th の proceedings。例年より薄くなっているような。
＠
JVST A18(4) pp.1119 (2000):
Ta, TaSix, TaBx のスパッタ蒸着報告。
リソグラフィの X 線吸収層にするらしい。
主に応力 (基板の反りで測定) と、その経時変化に付いて。
製膜時圧力・電力に対する応力の依存性など。
中間圧力で tensile が最大になっているところがある。
時間経過とともに、いずれも compressive に。
組成変化についてもちょい言及。
＠
JVST A18(4) pp.1202 (2000):
polycrystalline Cu の strength の計算。EM。
grain サイズのルートに反比例して強度が低下する結果。
結晶粒界面をみると、
dislocation は compressive 側で生じているが、これは
stacking fault のエネルギーが compressive 側の strain で急激に低下するからだ、
との議論。
＠
JVST A18(4) pp.1395 (2000):
Thomson 散乱を使って rf プラズマの電子密度・温度を測定する試み。
Nd YAG (532nm) を入れて側面から波長シフトに対する強度測定。
log signal vs (Δλ)^2 のグラフからは電子温度が出るらしい。
スロープは確かに大体直線になってはいる。
圧力・ガス組成 (Ar, Ar+O2) などに対する依存性。
密度の値は 〜10^11 cm^-3 と言っているが、絶対値の測定は難しそう。
＠
JVST A18(4) pp.1533 (2000):
Sweden のグループ。Ivan Petrov さんが Univ. of Illinois 所属で共著になってる。
ionization sputtering 指向の、DC pulsed sputtering
(50Hz, pulse width 50〜100um, pulse peak 〜1.2kV) だそう。
Langmuir probe, OES measurements.
OES を pulse 後の時間経過に対してとると、最初 Ar からの発光が強く、
後に metal (Cu) からの強度が上がる結果。
ターゲット近傍で、metal の発光が強い辺りの
electron density は 10^13 cm^-3 とか。
＠
JVST A18(4) pp.1546 (2000):
hollow-cathode 型の magnetron ソースを使った、
これも ionized deposition 指向の論文。
substrate 近傍のプラズマ密度を Langmuir probe で測って 10^11〜12 cm^-3、
Ti, TiN, Ta, TaN, Cu で trench filling をやって、
幅 0.25um、aspect ratio 5 くらいで 20〜40% くらいの bottom coverage。
＠
JVST A18(4) pp.1550 (2000):
IBM Microelectronics。
ダマシンの seed layer が ionized depo と
collimated depo とどっちがいいか調べた論文。
collimation の aspect ratio は 1。
bottom/sidewall coverage は IPVD が良く、かつ roughness も小さい。
electroplate した後の断面 SEM はあまり変わらないが、
電気的特性は IPVD の方が良く、これらは seed layer の
coverage を反映しているとのこと。
＠
JVST A18(4) pp.1584 (2000):
金沢工大 南先生のグループ。ZnO:Al スパッタ膜の
基板上での電気特性分布。基板温度 200℃、350℃、
DC/RF、 圧力依存性。まめだ(^^;
基本的には erosion track に対向する部分での劣化が、特に DC で大きくなっている。
oxygen によるダメージであろう、との議論。
＠
JVST A18(4) pp.1632 (2000):
Ag を DC/MF (mid frequency) スパッタでつけ、
625nm と 800nm でのエリプソと AFM 測定。ミラー利用。
ガス種 (Ar, Kr, Ne)、圧力、基板温度、電力密度、などを変化。
MF, 低温, 低圧力, 低電力, がいいとの結果。
ガス種はあまり反射には関係なし、らしい。
膜厚は 80 nm 近辺が一番反射率が高くなるとのこと。
＠
JVST A18(4) pp.1642 (2000):
PTFE の rf スパッタ。energy analyzer 付き SIMS での各種測定。
invited らしい。review として重宝するかな。
＠
JVST A18(4) pp.1668 (2000):
rf スパッタで ITO 膜をつくる際の、
膜の性質の target-substrate distance 依存性。
圧力は oxygen 4x10^-4, + Ar で 4.8x10-3 Torr。
distance は 50〜100cm。
deporate, XRD, SEM, Transmittancem & band gap meas., resistivity。
離したほうが (110) が立って結晶性が良く、mobility 大きい。
赤外での透過率も大きい。
＠
JVST A18(4) pp.1709 (2000):
独 Fraunhofer institute。 MF/DC reactive magnetron sputter のプロセス制御。
Nb2O5。
分光エリプソの in situ 測定を OES と酸素分圧測定に加え、
酸素分圧・放電電圧/電力を制御。
どうもフィードバックの関係が明記されてなくてよくわからん。
depo rate と放電電力密度の比が一定になるように制御すると、
品質が良くなる、と言っているが。
＠
JVST A18(4) pp.1881 (2000):
fluorocarbon
(って言ってるけど PTFE?)
を Ar+ bombard して QMS、残りを XPS。
desorption する主としては CF4 が一番多いが、
Ar dose と共に相対的に減少、
XPS C1s では C-CFx のピークが相対的に強くなってくる。
＠
JVST A18(4) pp.1983 (2000):
C 膜のエネルギー可変イオンビーム蒸着。基板は Si。
蒸着前、300〜500eV の C- で叩き、150eV 程度の C で蒸着。
interface mixing を TEM 観察、 EELS で L エッジの立ち上がり観察。
wear test の結果は、蒸着前の energy が高いほうが良好な付着を示したとのこと。
＠
JVST A18(4) pp.2006 (2000):
ionized sputtering で poly-Si 膜 on glass substrate。
Ar/H2 で depo。 XRD, planar/cross SEM, Raman。grain size を中心に整理。
plasma は OES 観察、H2 flow rate に対する Si+ の発光強度依存性など。
＠
JVST A18(4) pp.2033 (2000):
Angle resolved ESCA。 lubricant 膜の two-tiered model と、
三角波 like な texture model に付いて、理論的(?) 考察。
yield と各 model のパラメータを図示。
やっとたまってた分が全部片づいた。さすがに疲れた。コツコツ読まないとだめだなあ。
この手の論文サーベイをサボると、半年ぐらいからじわじわダメージが出てくる
*1
ので、辛いけどやらざるを得ない。
実は Web 日記をはじめた動機のひとつってこれ。
検索できるし、どの号まで読んでたかもわかるし、
公開してるのである意味自分に対するプレッシャーになるし(笑)、とても良い。
online journal ならリンクもできるしね :-)
*1: アイデアが枯渇する、というか、何やったら仕事になるのかわからなくなる。
自分の位置を見失う、と言ってもいいかも。
「CVS/Root の書き換え」が個人的に参考になった。
- 科研費申請書の交付申込 (奨励 (A))
- nacsis 研究者 db の書類
いずれも提出。
＠
追加:
実験のテーマ表組み。done。
ということで再開。
過去の論文原稿を印刷して眺め、
まずは本体に import 中。グラフを補完するのがきつそうだな...
ぐはぁ、入れ換えたらブックマークがしっかり化けた(^^;
#1
[LDP] 9/19 の updates
- The Linux Bootdisk HOWTO
Tom Fawcett Bootdisk-HOWTO@linuxdoc.org
v4.1, September 2000
* updated
- Chroot-BIND HOWTO
Scott Wunsch, scott at wunsch.org
v1.2, 16 September 2000
* updated
- From Power Up To Bash Prompt
Greg O'Keefe, gcokeefe@postoffice.utas.edu.au
v0.8, September 2000
* updated
- Windows LAN server HOW-TO
by Ryan Cartwright, crimperman@enterprise.net
v0.1, 21 September 2000
This document is intended to assist those who wish to consider Linux
as a server within an office environment which has PC's primarily
running Microsoft Windows 9x.
* NEW entry
追加。
#2
[linux] kondara 2000
パッケージ到着。
どうでもいい突っ込みだが、
"for Up Grade" ではなく "for Upgrade" ではなかろうか。
linux-users から。
JM の fenv.3 絡みで関根さんに教えていただく。
fenv.h
のセクションで説明されている。
kondara な TP600X (まだ 1.2(^^;) からの接続が
protocol ver. 2 になるな、と思っていたら、
/etc/ssh/ssh_config に
Protocol 2,1
という指定が。とりあえず 1 を優先するように書き換えた。
protocol 2 な環境でも ssh-agent とか ssh-add
が使えれば問題ないのだが、この辺どうなってるんだろ。
#1
[linux] mph-get マニュアル
.TH 行の前に空白が入ってて roff に通すと問題が出てしまうのは
後で jitter に報告するとして (いや、ML の方がいいだろうか。前もあったし...)、
これを読んで
mph-get noinstall, noexist を知る。すごく便利。
まず 〜1x と命名ポリシが変更になってた kde 関係を新しくする :-)
＠
Ngraph:
Ngraph が kondara に登録されてたのも知らなんだ。
上記 noinstall で発見。ただ、
Ngraph script 活用法
にある「NGP ファイルから GRA ファイルを自動生成するマクロ」
ngp2.nsc だけは別に取って、/usr/lib/Ngraph に放り込んでおく。
これ使うと、コマンドラインから
ngraph -i ngp2.nsc -eps hoge.ngp
のようにしてコマンドラインから eps ファイルがつくれるので、結構便利。
＠
バグレポ:
結局 -devel.ja の方にメールを送る。
グラフを sma4 から Ngraph に移行中...
We study, both with numerical simulations and theoretical methods, a cellular
automata model for continuum equations describing growth processes in the presence
of an external flux of particles. As a result of local instabilities we find a fractal regime
of growth for small external fluxes. The growing tip is selected with probability
proportional to the curvature in the point. A parameter $p$ gives the probability of
lateral growth on the tip. The value of $p$ determines the fractal dimension of the
aggregate. Furthermore, for each value of $p$ a cross-over between two different
fractal dimensions is observed. Instead, the roughness exponent $\chi$ of the
aggregates does not depend on $p$ ($\chi \simeq 0.5$). Fixed scale transformation
approach is applied to compute theoretically the fractal dimension for one of the
branches of the structure.
Inspired by the chemical etching processes, where experiments show that growth
rates depending on the local environment might play a fundamental role in determining
the properties of the etched surfaces, we study here a model for kinetic roughening
which includes explicitly an anysotropic effect in the growth rules. Our model
introduces a dependence of the growth rules on the local environment conditions, i.e.
on the local curvatuure of the surface. Variables with different local curvatures of the
surface, in fact, present different quenched disorder and a parameter $P$ (which
could represent different experimental conditions) is introdueced to account for
different time scales for the different class of variables. We show that the introduction
of this {\em time scale separation} in the model leads to non-universal roughness
properties. The interplay between anisotropy and the non-universality and the
dependence of critical properties on parameter $p$ is investigated as well as the
relationship with the known universality classes.
#4
[LDP] 9/20 の updates
続き (23:45)
- FBB Packet-radio BBS mini-HOWTO
Miroslav "Misko" Skoric, YT7MPB, m.skoric@eunet.yu
v1.0, 19 September 2000
This mini-HOWTO covers the installation and use of the most popular
amateur packet-radio BBS software FBB. That software works under
Linux, DOS and Windows operating systems. It serves as a bulletin
board system (BBS), a mailbox for personal messages, a database for
various texts, documents and binary files, a server for small useful
calculations etc. Packet radio is a way of connecting computers via
amateur radio stations.
* NEW entry
#5
[linux] kondara の挙動不審
sdr で vje が拾えなかったり、
sawmill の設定が gnome control center から出来なかったりで
ここの所しばらく悩んでいたのだが、
どうも /tmp にいろいろゴミがたまっていたらしい。
掃除したらなおった(^^;;;;
前者の件は jitter #690 に投げちゃいました
(#691 に取消メッセージを再度投げておきました)。
関係者の方ごめんなさい。
#6
[linux] kondara 2000
kondara-backgrounds と kondara-release だけ手で rpm -Uvh したりして。
後者は /etc/issue なんすね。これで私のノートも kondara 2000 だ(笑)
背景画像は earth.png にした。
更新。
#8
[JM] fenv.3 & __setfpucw.3
リリース。そのうち
この
へん
に登場するはず。
＠
mdoc.samples.7:
hns に関しては、有難く使わせていただいているユーザにしかすぎませんが、
ちょっと思うところがあったので横から突っ込みです
*1
。
Hyper NIKKI SystemというものをHyperNikkiSystem Projectから リリースする限り、
そのProjectが一体どんなものかを明確化しておく必要があるのではないでしょうか。
メーリングリストの参加者という一晩で不特定多数が自由に参加/脱退できてしまうような信頼性のないものが h14m Project
の定義になっているというのは 問題があるのではないでしょうか。
なぜ問題があるのかと想像するに、
プロジェクトの信頼性＝プロダクトの信頼性、
という考え方があるから、でしょうか。
通常プロジェクトで配布するソースへの変更権を持っている人は、
いろいろなかたちで (例えば cvs などを使って) 制限されます。
そういうメンバーをどのように認証・承認するか、
がここでの話題になるでしょう
*2
。
確かに、普及戦略のために信頼性を求めているようなプロジェクトでは、
メンバーになるために
多くの条件を満たさなければならないようなものもあります。
さらに言えば、プロジェクトとしての意思決定手段が
厳密に決まっているようなものもありますね。
ただ、それがいいかどうかは、一概には言えないと思います。
プロジェクトがそれを必要としているかどうか、に尽きると思うのです。
私が参加してるのはもっぱら文書系のやつですが、
これは公開される文書に作業者の名前が入りますから、
参加資格は非常に緩いです。
linux distribution の作成プロジェクトを見てみても、
プロジェクトメンバーになるまでの厳格さはまちまちです。
それらの開発系 ML などを読んでいると、
それぞれにいいところも悪いところもあるのがよくわかります。
で、要するになにが言いたいかというと、
いろいろな価値観・判断基準が世の中にはある、
ということです。
外部からはプロジェクトのそういう価値観を尊重すべきだと私は思います。
フリーソフト開発のような贈与文化の中では、
ユーザがプロダクトに対する対価を支払うやり方は、
そのような、相手の価値観を尊重する態度の中にもあるのではないかと思っています。
「このプロジェクトは信頼できないから、ここのプロダクトは使わない」
という個人としての判断は当然あっていいでしょう。
ただ、だからといって、対価を払わずに
「もっと信頼性の高い枠組みで作業してくれ」とプロジェクトに言うのは、
ちょっと筋が違うような気が私はします。
*1: 要するに現実逃避しているのですが(笑)
*2: 更に言えば、「committer をもってプロジェクトメンバーとみなす」
のかどうかも、プロジェクトのポリシーによるでしょう。
以上、10 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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