なかのにっき

Researchers usually compare "before" and "after" pictures of typical regions of a material to see how it changes during a phase transition. But now a team has watched a specific set of atoms continuously during a surface phase transition to see exactly how it occurs, and has made atomic-scale movies. In the 4 February PRL they describe their ultrastable scanning-tunneling microscope, or STM, that can remain fixed on the same set of surface atoms, even as the temperature rises by 100 Kelvin--a huge warming that would cause other microscopes to "lose their place." By studying one especially pristine region of the surface, the researchers were able to learn how the transition occurs, atom-by-atom, in a perfectly clean system.

おお、すげー。

パルス DC の OES。emission のモデルを計算してるが、 使ってる Te が 0.6 eV というのは (少なくとも平衡状態で 励起があるためには) 低すぎるような？ 実験結果とは合っているようなんだけど、うーん。

とりあえずメモ。

沖村先生の。coil assist の RF スパッタで、形成初期に高バイアス (-100V)、 その後を -50V とすることで、c 軸が立ち、表面も smooth な結晶膜ができた、 とのこと。

Pg=0.67 Pa〜4 Pa、Ts=RT〜400℃、400W で 3nm/s。速いなおい。 この条件的には Thornton の Zone 1〜T らしいが、 どうも SEM で見たとこだと 2 らしいね、ということらしい。 言い訳として ref 41-43 が引っぱってあるけど、特に考察にまでは至っていない。

対向ターゲットの pulse スパッタ。Ar->Cu。OES、時分割マススペ。 うーん、これもそうなんだが、pulse スパッタの議論って良くわからんのが多いな。 OES で Cu+ が見えてないし、decay time の話がないし… Dickson の ref 12, 13 あたりは読んでおく方がいいか。

うーん。やっぱりかなりの oxygen が入っているということらしいけど。 いいのかねこれでも。

MD による Cu depo の simulation 5eV を越えると biased diffusion が強くなり、shadowing の効果が低減されるとのこと。 Introduction がなかなかまとまっていて良い。

これも O だらけなわけだが。 まあ BP 1.3×10^-4 Pa ってのは Ti の蒸着としてはどう考えても高いよな。

つうわけで Moiseev さんのの ref12。

続いて ref13 ふむ。

シリカの と Ag の RF 同時スパッタ。どうも TEM 像が暗くて良くみえないが、 ガスに酸素を混ぜるとより丸い nano cluster ができるとか、 cluster が列状に並んでいて、これは matrix の void に沿っているんじゃないかとか。 可視光領域の absorption 測定と、実効誘電率による評価も。

スライド作ってるときに survey して見つけたもの。JVST B 19(2001)。
なんだ cos rule の積分してるだけか。

こちら も同時注文。

ITO/n-SiC/SiNx/p型Si という構造での EL。70mA で 2mW、1.6% くらいらしい。 SiNx 層は PECVD、0.5 Torr、5W *1 growth temp. 250℃、SiH4 50sccm/NH3 10sccm。postanneal は無し。 PL の作製条件依存性とかは ref.15 らし。

Si 7x7 の上に育てた Bi(001) の上に、ペンタセンが立った状態で綺麗に配列したよ、 というお話。LEEM/LEED 観測。

加熱した Si 基板に Si 探針を接触させて引き上げると pillar が育つので、それを針として使いましょ、ということらしい。

Dew 先生か。MC シミュレーションで使ってる collision cascade のサイズが ref10 とか。 再現には surface diffusion の効果が必要とのこと。 いわゆる斜め入射での ripple 生成、と通じるところがあるのだろうけど (ただしこれは垂直入射だ)。

metal dot array が SP の (2D の意味での) 反射鏡になることを利用、 楕円形に囲われた内部での SP のモードを、 leakage radiation を見ることによって調べた話。 シミュレーションとも良く合っている。

Fe-SiO2 の composite の帯電保持を KFM で測定した話。 数千秒の short decay component と、数万秒の component があるという結果。

Au/Ti/quartz の膜に FIB で 0.2um 幅の double slit を 9.9-24.5 um 間隔で開け、干渉を CCD で観測したもの。 このくらいになると SP の効果が重要になるんやで、ということらしい。

ポリイミドの上に Al を蒸着して opt litho で 2 次元周期パターンを抜く、 それが transmission に 2 つの stop band を持つよう、 unit cell の構造を GA で作る、という話。 確かに解空間が広そうなので GA は良いのだろう。 垂直入射みたいだけど、 結晶の周期性があまり効いてるように見えないのが不思議。

Si-SiO2 界面の第一原理計算。特に界面での電子散乱についての議論が詳しい。 界面散乱は高電場強度では温度に依存しない、あまり作り方にも依存しない、 という背景から、散乱は界面の roughness に起因するのではなく、 より intrinsic な性質なのではないか…というのが motivation らしい。 計算結果を見て、 bond angle の distortion による (coherent な) backscattering か 界面 phonon による (incoherent な) scattering かどっちかだ、 と言ってるけど、後者だったら温度依存するんじゃないのかしら。

ポーラスな ZnO が gas センサーや触媒に良いのでー、という動機のもと、 SiO2 の aero sol 表面に ALD で ZnO を成長させてみた、という話。TEM, XANES。

SiGe の歪み系に表われる表面の morphology と roughness の成長を 考察している話。AFM 測定した表面の ripple の高さ・幅を 成長時間にかけた時間 (=flux の逆数) に対して plot すると、 kinetic な過程ではなく熱力学的な過程が成長を支配している、 という結論になるとのこと。

水溶液中で電界のかかった Au(111) 面は真空中よりも 5% (!) 圧縮されてますよ、 という話。