帰ったらスラッシングしまくり。syslog と klogd のロードが高く、
Jul 1 02:06:20 localhost cardmgr[3155]: executing: './network stop eth0'
Jul 1 02:06:20 localhost kernel: eth0: Error -110 writing Tx descriptor to BAP
Jul 1 02:06:20 localhost last message repeated 324 times
というメッセージを吐きまくっている。どうやら
bug#291684
と同じらしい。
昨日 kernel-image-2.6.11-1-686 にしたので顕在化したのか？
とりあえず killall syslogd (笑)して復旧作業。2.6.8-2-686 に戻すか。
アルバックテクノ松浦さんから電話。修理は可能、
ただ交換した電源には互換性がないから運転しつづけるのはヤバイ、すぐやめろ、
とのこと。
あわててターボを止めて、飯村くんと電源を梱包、宅配便で発送。
その後 fax で松浦さんへ発送通知。
んでターボを LEED のものと交換作業。
ほとんど飯村くんにやってもらったにも関わらず、
やはり腰にかなりのダメージが。
排気テストを 16:40 に開始。回転数は問題なく上昇。
30 分待ってエタノールテスト、特に問題なし。
＠
発送先:
〒358-0022
埼玉県入間市狭山ヶ原 98-2
アルバックテクノ 埼玉 CS センター
Tel: 0429-34-7824
Fax: 0429-34-7828
今までの組合せはナニすぎたので、わかりやすいかたちに繋ぎなおし。
これも飯村くんにやってもらった。ついでに循環水の入れ替え。
作業終了後に漏れチェック→OK。
ALD に関する 52 page 1207 refs というゴツい review。
最近また ALD の論文数が増えてきてるそうだが、
trench filling の問題が関係してたりするんだろうか。
PLD における Si クラスタの成長モデル。plume が thermalize してから cluster ができはじめる、というあたりはまあそうか、という感じ。
pulse 後の time transient を強く意識しているので、スパッタでの定常状態に適用するには少々捻り (クラスタの散逸機構)
を加える必要がありそう。クラスタの vibration による内部自由度を考慮して
attach/detach の反応係数を計算してるのだが、
そもそも種はどうやって作ってるのだろうか。
ん、Bogaerts 先生のやつか。
ホローカソードランプ中の Ar metastable の空間分布の背景ガス圧依存性、
absorption の実験と比較。
これも Bogaerts 先生が噛んでいる。L-probe の PIC-MC によるモデリング。
positive な結果としては、電子とイオンの各温度の比が、
presheath では const にならんよ、ということらしい。
Si 上に成長させた AlN の grain growth を XRD で (特に rocking curve 測定がおもろい)、roughness evolution を AFM の scaling analysis で。
んー、やっぱ roughness-scale 曲線は、そのまま上に持ち上がるような感じだな。
MgO の roughness とかを継続してやるならちゃんと読んでおく必要がありそうなので、
一応印刷しておいた。
GaAs の吸収率のモデル。まあ heuristic approach と precisely represent
に微妙な矛盾があるような気はするのだが。これは真正に近い場合のモデルと、
emission の再現性について、
Part II
は実験データから intrinsic carrier を見積もるやり方 (とその validation) について、
Part III
は (InGaAs も含め) junction の取り扱いについて。
Si/SiO2/Ti の Capacitance で、SiO2 上に有極性の単分子膜 (SAM) を作って
実効的な work function を control しよう、というもの。
具体的には C-V 測定の VFB の SiO2 の有効膜厚 (EOT って言うらしい。へー。)
に対するプロットして、SAM の有無で直線がちょうど下にずれる形となる。
まあ通常の通り (polar plot を含む) XRD と M-H による磁気異方性の評価。
いわゆる low-k 向けの porus なシリカの構造に関する考察。
実際に有機分子の自己組織化を使ってそういう構造が作れるよ、というデモも。
ポリマーに LaB6 とか ITO とかを nano particle のかたちで分散させて、
近赤外領域を cut する layer をつくろう、ということらしい。
こんなとこで LaB6 が使われてるとは知らなかった。
dc マグネトロンでの Ru の trench sidewall coverage。2mTorr, 200W。
まあなあ。analytical model の計算は、卒論レベルとしては
面白いかもしれない。
ITO/SiO2/MEH-PPV/Alq3/SiO2/Al という構造に AC (500Hz) をかけたら、
有機層のに加えて 410nm に未知の発光が〜という話。
SiO2 の欠陥準位では、と言ってるが、
高エネルギー側が光るのってちょっと面白いな。
まあそういうネタ。将来の検索のために→カシミール効果と表面粗さの関係。