なかのにっき
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検索エンジンから来た方は、エンジンの方のキャッシュを見るか、
下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
外付け LTO2-L で 173,250 円。
内蔵で PowerEdge と組み合わせるオプションがあるなら、これで買っちまおうかなあ。
PowerEdge に内蔵させるには
830
が手頃そうだが、内蔵ドライブ追加すると SCSI カード込みで
+28.5 万になっちまうな…むー。
#2
[paper] 今日拾った論文 (TSF 501(1-2), Vacuum 80(6), Wear 260(6), JJAP p1 45(4A))
クソ降りの雨の中を帰るのもナニなので 2 月末の ScienceDirect 3 本をつらつらと。
TSF は hot-wire CVD conference の proceeding 号。
Wear はやっぱ survey から外すべきか？
JJAP はまあ 4 月からということで頑張ってみるか。
というわけで豊田先生のグループのやつ。これは既に先生から教えていただいていて
図書館経由で取得済。
Musil さんのグループ。T-S 100mm の umbalanced dc magnetron。
数 Pa にするとσが減るよー…という話。Hardness も 35GPa とか。
んー、なんかのタイミングがあったら一緒に複写依頼しとこうかな。
アニールは @350℃。酸素分圧を上げると透過率も抵抗も下がる、ということらしいが？
旭硝子高木さん。酸素分圧を低くして基板を 300 ℃にすると 500nm〜1um 長の whisker が普通のスパッタ装置でできるんだとか。
やや小降りになったので原付。
原付。恒例の VP 勉強会を経由して。雨は止んでいた。
4-18, 4-10,16。そろそろこのへんは終わりか。
次は真空計をやってほしいとのリクエストあり。
Qmass ヘッド修理の伝票の件で大橋さんと打ち合わせ。
資料が一式入った袋を置き忘れてきた…
昨年度末に買ったマザボ・CPU・メモリの組立てを院生の諸君に依頼。
電源が 1 台足りなかったので、それは 3hawks に原付で出かけて調達。
メディアは Office のがなかった。まあそういう時期だからなあ。
丁度高城さんがいらっしゃったので、モニタ 2 台と
micro ATX マシンの臓物交換の価格を教えていただくよう依頼。
諸々片付け。積んでいた雑誌は不本意ながら廃棄。
むー。拾った情報が失なわれたのは切ないがのう。
組み上がったマシンへ Windows XP までインストール。
その後やることなどは
こちら
にまとめておいた。
Office は明日午前に借りに行けば良いらしい。
#7
[labo] UHVSP 導入ラインのベーキング
Qmass が戻ってきそうということでボチボチ動き出してみる。
坂口電熱ラバーヒータの購入 (+光学マウスの購入)
を柴田くんに依頼。とりあえず 40,000 円を渡しておく。
#8
[paper] 今日拾った論文2 (JVSTB 23(5-6), 24(1-2))
23(6) は 49th EIPBN の proceedings、24(1) は Ultra-shallow doping workshop の proceedings、24(2) は 18th Vacuum Nanoelectronics Conf. の proceedings、
をそれぞれ兼。
Conference paper らしく、なぜか abstract が無し。
RF マグネトロンスパッタの hybrid モデル、
絶縁体における charging の効果について。
このへんペガサスソフトの人達が苦労されていたような。
やっぱり通常の erosion から side に逃げるような profile なんだけど、
でも大抵の場合の実験結果とは違うんだよなあ。
superhard material である標記物質に与える酸素の影響について。
nanocrystal 表面の O coverage でこのあたりを簡単に評価してみましょう、
実験と比べてみましょう、というお話。
letter の割りに references が充実しているし、UHVSP のイントロとして良さげ。
星くんに読んでもらっておくと良いか。
越田先生のとこの nano-Si ballistic emitter。
こちらは陽極酸化で作った p-Si 層。
10^3 Pa 以下で 30um/cm^2 とか出てるな。そんときの EE は 8eV にピークを持ってたりとか。
いわゆる sculptured 構造を作るときの質量膜厚の導出について。
sticking coeff. に角度依存性を持たせているところ、
vapor flux に gaussian profile を持たせている→QCM の位置による影響、
あたりが議論の対象か。
なぜか appendix に Erf の連分数定義があるのが良くわからん(笑)
Texax A&M Univ の Kuo 先生のグループ。
蒸着後のアニール温度の影響が大きいらしい。
WF が 4.05〜4.25eV のため、n-chanel MOS の gate としてよろしい、
ということのようで。
スパッタエッチによう表面構造の evolution。normal だと dot、傾けていくと ripple になるのだそうで。LEED によって構造も評価。
あまり fluence を大きくするとアモルファス化し、
アニールによっても戻らないとのこと。
Dew 先生の。うん、そういうこともあるかなという話。
Cu 厚は 50nm、82度入射。
シミュレーションとあわせて ripple 幅と atomistic なプロセスとの相関について議論。
関場さん
の話と似ている。しかし引用はされていないようだな。
電機大のグループ。Si と SiO2 の cosputter→1100℃アニールで nc-Si を作り、
HF 処理すると3 色作れた、ということらしい。へー。
PL のほか FTIR。ありがちな表面 oxidation モデルでの議論も。
普通に陽極化成した pSi にアミノ基・ヒドリキシル基などを持つ分子を吸着させ、
XPS で depth profile 取ってどのへんまで入ってるのか調べた話。
あまり決定的な結論には至ってないみたいだけど。
#9
[paper] 今日拾った論文 3 (JPD 39(8))
中間流の MC っぽい。
分子・壁の衝突素過程を丁寧に記述してあるので参考になるかも。
こいつ
に対するコメント。
温度決定の際に 0-0 振動遷移の影響を考えんとあかんで、ということらしい。
以上、1 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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