なかのにっき

帰りがけに実験室に行ってシリアル調べて web に行ってみたが、 どうも問答無用で蹴られるなあ。

N 体粒子の拡散過程の kinetic MC シミュレーション。 このへんのシミュレーション使うことになったときの勉強の足がかりにメモ。 この論文は、拡散方程式のグリーン関数を使って単一粒子の拡散を追う first-passage process の考えかたを hardsphere の n body particles に適用した KLV アルゴリズムに、さらに拡張を加えたもの。 具体的には、KLV では shortest arrival time を持つ粒子を移動させていたのに対し、 ここでは各粒子について overrap のないように移動をしましょう、ということらしい。

独カイザースラウテルン大。 Cu(111) 上にエピ成長させた Ag 膜の AR-PES。 量子化準位のピーク幅の温度依存性から、electron-phonon の結合係数を求め、 そいつが (膜厚で変化する) binding energy によって振動している、 という実験結果とその解釈の議論。

これも AR-PES。InN 表面フェルミ面の決定と、近辺の量子化準位の k-E 曲線。 あと表面の finishing によって trap 準位が変化して、 量子井戸の準位を制御可能である旨の主張。

二周波 CCP の加熱機構について、シース周辺での電子の振舞いの 理論的な話。collisionless & ohmic heating を低周波成分の 周波数と電流によって整理している (計算例としては 2 MHz/26 MHz)。

Si への斜めイオン入射で発生サセタ ripple の subsurface に、 表面と同じ周期の burried structure があるよ、という話を受け、 Grazing Incidence Amorphous Scattering という X 線回折の手法で観察した話。 Si (100) に 40〜120keV の Ar を 60 deg から当て、 broad 化した (111) (220) 各回折を rocking / 面内回転測定している。 amorphous な相と texture 化した相が混じっとるで、という主張。

これは Si(100), Si(111) に垂直入射で作った nanodot の AFM, GI-XRD 観察。 特性周波数と相関長さの経時変化としてまとめ。 スパッタレートが変化するとこの辺も変わる、というのは拡散との絡みですね。

Ti-Al 合金ターゲットから反応性スパッタで作った標記材料の XRS による 局所構造評価。AlN の hex と TiN cubic の競合のあたりが中心となっている模様。 つい O 組成が気になってしまうのはもう癖だな。

ACSEL に Sproul さん、Hiden の Rees さん。 pulsed dual UBMS。positive 側の overshoot が plasma potential を上げて、 正イオンのエネルギーを底上げすると言ってるな。 頼んでも良さそうな気もするけど…