ぎゃああ、starred item から拾ってコピペ作業しつつ、 論文の 1 個の PDF を拾いに行ったら firefox が crash した。 再起動してもタブは復元できねえし star はタブオープンのときに消しちゃった…
ああ、履歴には残っていた。助かった…
＠ RSI: Direct measurement of beam size in a spectroscopic ellipsometry setup:
分光エリプソにはビームサイズを知らねばならん、とかアブストに書いてあったが、
なんのことはない lateral な inhomogeneity がある場合の話だった。
仕事としては、knife edge と垂直入射を使っていた旧来の方法に対し、
実際の測定に即した斜め入射を使った場合についての扱い。
＠ APL: Gasless sputtering: Opportunities for ultraclean metallization, coatings in space, and propulsion:
lbl Anders 先生。カソードアーク電極とマグネトロン電極に同時に repetition 1〜5 Hz, duration 数 ms のパルスを与え、完全にガスなしでスパッタを可能にした、
という話。1 価のイオンではγの効率が悪いので多価イオンが必要、
それをカソードアークで作りましょう、というアイデア。
discussion で、レーザーでもいけるんでは、との話も。
＠ APL: High rate reactive magnetron sputter deposition of titanium oxide:
Kubart さん。ターゲットの組成を TiOx にしておくと、
TiO2 の高速堆積がヒステリシスを緩和したかたちで実現可能では、
というアイデア。モデルと対比させていて面白そうだが、
商業的にはちょっと導入しにくいだろうな。
＠ JAP: Effects of oxygen gas pressure on structural, electrical, and thermoelectric properties of (ZnO)3In2O3 thin films deposited by rf magnetron sputtering:
京大のグループ。(ZnO)3 In2O3 の焼結体ターゲットを RF スパッタ、
7E-3 Torr のガスでスパッタする際の Ar/O2 比を 0〜25% まで振って、
XRD/SEM/Opt に加え、電気特性 (特にゼーベック係数) を計測した話。
3% くらいのところでガクっと n 型 carrier が減少し
Seebeck 係数が大きくなる。
キャリアについては
の反応 (ref14) の V_O が潰れたせい、としている。 ちょっとピンとこないので ref14 拾ってみるかな。+V_{\ddot{O}}=2e')
＠ PRL: Precision Measurement of Neutrino Oscillation Parameters with KamLAND:
5 年分のニュートロンのエネルギースペクトルから振動パラメータの誤差を評価した話。各種原子炉の寄与とかも考えてたりして、とにかくゴツい。
＠ PRB: Crystallographic phase transition and island height selection in In/Si(111) growth:
ナノ構造でバルクからの deviation が複数見える系として
Pb-α√3×√3 on Si(111) 上の In。
4ML height の island が (おそらく QSE のため)
生じるのと、あと fcc→bct の構造転移が見られる。
第一原理計算も行い、実験との比較とか。
＠ JAP: Atomic assembly during ion-beam assisted growth: Kinetic modeling:
GaN の ion assisted MBE。IA (25eV 以下の窒素) なしだと columnar、
ありだと dense な膜になるよ、という結果を受け、
adatom diffusion が activate されたら…というのをレートモデルと KMC 的な扱いで
考察した話。
＠ JAP: Evolution of the optical properties of Si nanoparticles embedded in SiO2 as function of annealing conditions:
台湾のグループ。分光エリプソと
photothermal deflection
(彼らは deflexion って綴っている :)
で光学特性を見た話。
アニールすると 4nm くらいのナノ結晶による誘電関数への寄与が大きくなる。
だいたい 4eV くらいのとこに振動子。
＠ APL: Stimulated emission from trap electronic states in oxide of nanocrystal Si:
大気中のレーザーアブレーションで porus 構造を作ったらしい。
そんで酸化炉で 1000 度 10〜20 min のアニールをして SEM とか PL (514nm 励起)
とかラマンとか。
692nm 694nm に、線幅 〜0.5nm のシャープな PL ピークが見られたと。まじ？
準位図と LDA/GGA でいろいろ考察しているが、
これだけシャープなレーザー様発光が、
共振構造なしに固体から出てくるとは思えないが。