とうとう gmail 経由で読む分は 1 年遅れ。ここで拾わんと永久に読まなそうなので、
なんとか 1 年遅れながらついていく方向で。閾値は思い切って上げる。
ZnO の radiation resistance を評価した話。
SRIM ベースの計算の "number of displacements per atom" という量が揃うよう、
40〜140 keV の P, PF2, PF4 などを入射して、
RBS と channeling 測定で評価した話。
衝突カスケードは表面領域には影響するが、バルクにはほとんど効かないよ、
ということらしい。
量子モンテカルロで SiOx 膜からの Si クラスターの生成をシミュレートした話。
O poor な Si に囲まれた O の拡散バリアが低いので
phase separation が起こる、という主張。ふむ。
ナノ結晶の成長は、最初は高速な coalescence によって、
その後数桁遅い Ostwald ripening によって支配されるとのこと。
すると最終的なサイズは何で決まることになるんだろ？
Shaginyan さんたちの。表面温度が通常測られていた基板温度よりも高いので、
そいつを元に growth モデルを考えなおしてみるとどうか、という話らしい。