なかのにっき

Sheridan 先生の。 窪みをつけた平板電極の上にできるシースの電場分布を collisionless の場合について解き、 dust particle の挙動を見た話。

He, He/N2, He/O2 ガス中で laser ablation で作った porus な Si, SiNx, SiOx のフォトルミ、XPS、FTIR。 やっぱり air exposure で変わるというのと、 1.5 eV と 2.3 eV くらいの 2 つのピークからなっているというのと。

amorph C と Ni の多層膜の Auger depth profile から、 スパッタ率比の角度・エネルギー分布を求めたもの。 73 deg で C/Ni〜0.6、86 deg で 1.4 くらいになって saturate。 エネルギーにはあまり寄らない。TRIM も。 C の方が軽いから進入深さが深いので、角度をつけるとスパッタ率が大きくなる〜 という説明。だったら unexpectedly というほどのことかと。

Ta barrier 層の trench filling のモデリング (と実験)。 Kushner 先生のとこの HPEM と PCMCS を使っている模様。 まあプリンタが使えるようになったら印刷しとくか、というわけで ~ に保存しといた。

unbalanced magnetron の pulse-DC。Ar 1.5 sccm N2 4.5 sccm, TP 0.1 Pa。 T-S 10 cm 120 min と 360 min。column size に T-S 距離依存性があるって 書いてあるけど、そういうデータはないような？

Pohang の Lee (JK) 先生の。IEDF とか。表題の Effective Frequence というのを 導入すると、single frequency の放電のように扱える〜というのがキモ。

豊田先生の例の Ar+ EDF の話。 今回の ISSP でのやつの方が新しいみたいだけど。

これも Pohang の Lee 先生。cylindrical な容器での Ar/O2 放電の PIC/MCC。 O2+ の IEDF に共鳴っぽいピークがたくさん出るという結果になっている。

Si 上のタングステン膜。形成初期の圧力を高く (〜15mTorr) にしといて porus な層にして応力を緩和、 その後は低く (〜2mTorr) して dense な膜を、というコンセプトの模様。

ソウル大 HJ Kim 先生のグループ、MgO の EB 蒸着。物性評価用には 50nm の SiO2/Si 基板、放電評価用にはガラス。 0.1nm/s で 500nm。ソース依存性を調べているみたいだけど、 うーん、これは同じなんじゃねえか？ちょっと texture が変わってるくらいで。

同じグループ。基板温度 RT〜300 ℃で density/stress。 intrinsic な stress が、基板温度を上げると compressive な方に シフトしてるので、その依存性。 しかし放電電圧には、やはりあまり影響はないような…

diffusion Monte Carlo という方法らしい。bulk modulus とか rock-salt と CsCl 間の構造転移圧力が 600 GPa だとか。

サーメット構造の、多重散乱・分布偏りを考慮した有効誘電率モデル。 実は MG モデルは占有率が上がっても (粒子位置に相関がないなど、特定の分布では) かなり有効なのだ、という主張。

BST/SRO/MgO 構造の膜格子不整合による応力 (というか歪みか) の膜厚依存性 (緩和)を XRD で調べた論文。 膜応力 (というか格子歪みかな) を評価する Williamson-Hall plot というのを色々な膜厚に対してやっている。 これによる応力傾斜の影響は 数 100 nm にも及び、 誘電率に対する影響を計算すると実測を良く説明する、ということらしい。

N2 導入下でスパッタすることにより 鉄やパーマロイ (Ni80Fe20) のアモルファスを作ろう、という話。 XRR/XRD、TEM、中性子反射、magnetometer による測定。 窒素分圧によって FeN のナノ結晶〜アモルファスができた、 Fe の場合は軟磁性的性質が良くなった (NiFe は劣化した) などなど。 構造変化は N の incorporation によって説明されている。

金属中に磁化した強磁性体を埋め込んだ構造を作れれば、 磁場によってプラズマ周波数が制御せきるよ、という話。

なぜこの材料への n ドーピングが難しいのかを、 欠陥生成のエネルギー (E_F って書いてるけど) から考察した話。

アモルファスカーボン上への Cu の傾斜蒸着。ref5 がいわゆる β=1/2 tanθルール。 柱の成長角と結晶方位の関係を調べましょ、というのが motivation らしい。 しかしこう spotty なパターンになるんだけど、これは必然か？

SiO2 内での分子/原子状酸素の反応・拡散の実験。 XRD の CTR 散乱 で SiO2 ネットワークの変化を見ている。 ま、原子は入るけど分子は入らんで、という意図通りっぽい結果。

先端が半球状な tip からの emission のための F-N 理論の拡張。 有効立体角という量の導入がキモ。

コピーを終わって電話したら、ちょっと待ち合わせに間があったので、 銭湯にいくことにした。 最初尾山台の交番で聞いたところ (結構駅から遠かった...) は 16:20 現在開いておらず。近場にいたおじさんによると、 休みでは無いらしい。なら看板に 14:00〜とか書いとくなよ。

結局荏原町で降りてこっちの銭湯へ。

18:30 着。いつもごちそう様です。 主役の武井さんがちょっと遅れて焦ったが、無事合流。 武井さんが持ってきてくださった胡瓜・茄子を大変おいしくいただく。

25:00 自宅着。暑いよー。

受付のお姉さんと技術のおじさんと二度話をした感じ。 カメラボディ・レンズ・シグマ光機のカタログを預ける。 見積は明日 fax で。 技術力はありそうだけど、結構高くつきそうな予感。

川崎駅周辺にて。

学生の時、クラブの試合で来た記憶がよみがえる。 尾山台から遠い+坂がきついのも相変わらずであった。

図書館へ行くと既に話がついていて、 速攻で論文をもらえた。 しばらく読み。コピーマシンは一万円札が使えず、 熱い中をまた外のコンビニまで往復した。

JAP 89(11) pp. 6686-6688
M. Bibes, Ll. Balcells, S. Valencia, S. Sena, B. Martinez, and J. Fontcuberta
S. Nadolski, M. Wojcik, and E. Jedryka

In this work, we report on the impact of distinct growth parameters that affect the roughness and surface morphology of La2/3Ca1/3MnO3 epitaxial thin films grown by rf sputtering, namely, the film thickness and the deposition temperature. Data for films with thicknesses ranging from 2.4 to 108 nm will be presented. A correlation with transport measurements is also reported: whereas films thicker than 6 nm show the typical metal-to-insulator transition, the thinner film is insulating. The resistivity is strongly enhanced when decreasing film thickness. Nuclear magnetic resonance measurements have been used to monitor the relative concentration of the localized Mn4 + and delocalized Mn3+/4 + states. It is found that the relative intensity of the delocalized Mn3+/4+ configuration (I3+/4 + ) progressively lowers when reducing film thickness. Of significance could be the observation that I3+/4 + remains finite for the thicknesses corresponding to insulating films, thus suggesting that an electrically inhomogeneous state is formed in a region close to the interface with the substrate.

JAP 89(3) pp. 1922-1926
Ya-Qiu Jin and Zhongxin Li

As a scalar wave is incident upon a rough surface at grazing angle, the Helmholtz wave equation can be approximated by the parabolic equation. Inverse scattering has been formulated in the form of a pair of coupled integral equations in two unknown functions, i.e., surface current and surface roughness. The aim of this article is to implement this approach for profile reconstruction of complex fractal rough surface. The fractal rough surfaces described by a band-limited Weieztrass-Mandelbrot function are numerically realized using the Monte Carlo method. As the scattering fields along a line parallel to the mean surface are measured or solved with a scalar wave incidence at low grazing angle, the rough surface profile is progressively inverted. Numerical examples show that the reconstructed profile and its parameters such as the fractal dimension, roughness variance, and correlation length are well matched with the simulated surfaces.

JAP 89(7) pp. 4105-4112
Liang Dong
Luis A. Zepeda-Ruiz and David J. Srolovitz

Molecular dynamics simulations are performed to study the fundamental role of the ion beam in determining the in-plane texture of <100> oriented (out-of-plane) MgO films during ion beam assisted deposition (IBAD). Sputter yields are determined as a function of in-plane orientation for Ar ion beams. The minimum sputter yield exists at an ion beam orientation corresponding to the MgO <110> direction. The finite width of the sputter yield minimum is attributable to two main factors: (i) only a fraction of the incident ions are oriented to travel directly down the center of the channel and (ii) ions that are not exactly parallel to the channeling direction may channel. While the simulations imply that it is possible to in-plane orient {001} MgO films using IBAD, there are fundamental limitations on the degree of ordering that can be achieved.

JAP 89(9) pp. 5191-5198
J. J. Serrano
H. De Witte
W. Vandervorst
B. Guzman and J. M. Blanco

The Si + and O + signals, as obtained in secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis of silicon when using oxygen as the primary species, pass through an initial transient region before reaching the stationary state. We simulate this transient zone to check a phenomenological model for the secondary ionization of sputtered atoms. The simulation is split into two parts: the sputtering of neutrals obtained from implantation, sputtering, relocation/replacement, and diffusion, simulations and their subsequent ionization. The ionization phenomena are also described by some ad hoc fitting functions with which the SIMS measurements are better approached than with the model. The fitting functions and the model outputs are verified with experimental secondary ionization data.

・うちでは squid の proxy 越しに apt を使っているのですが、
　main/upgrade-i386/ の apt_0.3.19_i386.deb の apt-get で
　ちょっと問題が起こりました。　具体的には、環境変数
　http_proxy を DNS name で指定すると、resolve できない旨
　のエラーになりました。　http_proxy の指定を IP アドレス
　にすると OK でした。

・upgrade.pl では、 xntp3 は ntp に対応されずに消されて
　しまうようですが、これは意図的なものでしょうか？　

で samba が 2.0.7 (非日本語版) になっており、 こっちはだいぶはまる。情報に疎くなっていることを実感。

• ドメインログオンが plaintext password ではできなくなっていたらしい。
• 全く同じ設定の smb.conf な 2 台のプリンタサーバで、片方だけ

  [2000/08/07 01:01:15, 0] lib/util_sock.c:assert_gid(72)
    Faild to set gid privileges to (-1,65534) now set to (0,0) uid=(0,0)
  [2000/08/07 01:01:15, 0] lib/util.c:smb_panic(2381)
    PANIC: failed to set gid
  

  なるエラーを /var/log/smb に吐き、アクセスできぬ。

後者については、 ring.nacsis にあった potato の samba.deb が 2.0.7-2 で、 バージョン違いによるものか、と入換えをするが、なおっておらじ。 他の lib とかがだめなんかな。うーん...

を ring.tains.tohoku.ac.jp に向けてみたら、 nacsis から upgrade した状態から 24 パッケージ更新される。 ぐは(吐血)。

どうも nacsis のんは bug horizon 以前のものだった気配。くそ。 やはりあらゆる nacsis ステだったか...

今回 slink -> potato は 2 台について行ったのだが、

• 1 台は dhcp 鯖を起こすときに CONFIG_FILTER が y になってないぞえと文句を言われ
• もう 1 台は上記の samba の "Failed to set gid..." 問題が結局解決せず、 カーネルが 2.0.38 なせいであろうということで (ちなみにうまくいく方は 2.2.14)

カーネルを入れ替えることに。

前者は PIII なので、ソース deb をインストールして

make oldconfig
make menuconfig → CONFIG_FILTER を on
make dep
make bzImage; make modules; make modules_install
lilo ほげ

で入れ替え。

後者は 486 マシン(笑)なので、バイナリで入れる。 IDE な NE2000 を認識できなかったので /etc/modules.conf に

alias eth0 ne
options ne io=0x300

を追加する。またプリンタポートの扱いが 2.0 → 2.2 で変わっているので、 /etc/printcap の lp を lp2 から lp0 に変更。

いずれの問題もカーネル入れ替えによって解決。良かった。

samba サーバで

for u in [ユーザーリスト]
do
  smbpasswd -a -n $u
done

して /etc/samba/smbpasswd を作り、 学生向けには smbpasswd の使い方 なる文書をでっち上げてホワイトボードに貼っておく。 プリントサーバは security=share, guest ok で運用。

27:26。今日も全然論文が進行しなかった。ヤバイ...