なかのにっき
最新版はこちら。
突っ込みは各日付の BBS エントリのほか、
メール (nakano@st.seikei.ac.jp) や
フォーム
からどうぞ。
なおスパム除けのため、BBS 機能には
緩い認証を入れて
います。
検索エンジンから来た方は、エンジンの方のキャッシュを見るか、
下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
書き書き。
原付。湿気を伴うやや寒。
#3
今日のビジネス英会話
月曜の。
dilligence 勤勉さ
go out of one's way わざわざ〜する
prosper 繁盛 (繁栄) する
courteous 丁重な、礼儀正しい
dividend 配当、配当金 [pay dividends 利益をもたらす、あとで報われる]
common bond お互いのきずな
up front 前金で、前もって
trivial ささいな、つまらない [〜 petty]
in short order 直ちに、手っ取り早く
dish out 〜を (気前よく) 払う、〜を提供する、ばらまく
#4
CL 決勝
む秒殺ゴール。
終了まで見てしまった。すごかった。
原付。晴れ。
ブックセンターから到着の連絡が来ていたので購入、
こちら
から変換スクリプト (v1.32) を頂いてきて epwing への変換作業。
Windows ベースの作業が想定されているようだったので、
こちら
に従い mswin32 版 ruby (v1.8.2) を一時的にインストール、
コマンドプロンプトから絶対パスで ruby を叩いて無事変換できた。
EBStudio (v1.67) で WordBank を変換するとき作業領域が足りない旨の問題が出たが、
説明に従い EBStudio-[オプション]-[作業領域] の「文字バッファサイズ」
を 256x10^6 にすることで解決した模様。
ベーキング。新カバーの電源配線、アルミホイル巻き、熱電対温度計の仕込み。
本体側 (製膜室) は
このとき
*1
のデータで加熱。
新カバーは 100V かけると 1500W だが、
まあ 500W くらいで 100℃ にはいくんじゃないかなあ、
ということで 17:50、50V 印加から start。
そのまま 1.5h ほどで 95℃まで上昇を確認、接骨院へ。
接骨院帰り、熱電対は 120℃。ほー。
21:20 に各ヒーターを off。
23:00 で製膜室が 2E-4Pa (BA)、分圧測定室が 6E-6 Pa (QIG)。
カバーを取ってみたら、分圧測定室の各所に貼ったサーモラベルは
だいたい 105℃ オーバーになっていた。
ただし TP 直上はやはり低い。さすがに下の方は暖まりにくいみたいだ。
バラトロンゲージの示度が戻ってくるのに時間がかかる。
ベーキング前 0.30 Pa、ベーキング終了直後 -0.33 Pa、
終了後 2h 経過で -0.06 Pa。
往復。「なかなか良くなりませんねー」と言われた。
まあしょうがない、気長に。
#9
[paper] 今日拾った論文 (JVSTA 23(3))
拾っただけ。土曜あたりにゆっくり読む予定。←読んだ (5/28)
プラズマん中にプラス電圧をかけた tube や ring を入れるって、
遮蔽とはどうなっとるんじゃ、とツッコみたいところだが、そのへんは書いてないっぽい。
というかプラズマ電位自体が変わっちゃうんじゃないのかしら？
反応性 EB 蒸着。XRD, SEM, AES & EPMA, TEM, ρ。Ti は grain size 〜40nm。
TiN では N が少なく O が 7〜15%、(111) 配向。
0.5〜0.6 um/min というのは確かに早い。
via hot-filamant enhanced unbalanced magnetoron sputtering。
というのはまあどうでもいいのかな。
Cr (& CrN, β-CrN2) は Cu と immisible なので、
nanoparticle が分散した構造ができるから固くなるのでは、というアイデアらしい。
Cu の content が 3〜20% くらいまでのやつが耐摩耗的には良い成績らしいが。
conductive なんだそうな。へー。
7059 上に depo、圧力は 10 mTorr const (電離ゲージか？)、Ar flow を 10sccm、
ほんで O2 flow を 10〜50%。ターゲットは金属 Ru。
通常の薄膜評価。
deporate が一度 25% くらいまで上昇して、そのあとガクっと落ちるのは、
Ru-O ボンドが弱いとかいろいろ言ってるけど。ほんとうですかね？
ちなみに落ちたあとが stoicheometric なので、
ここが化合物モードの遷移だろうけど。
しかし Berg も引っぱってないのはいいんかな。
あと熱履歴と応力の関係とか。応力は 500℃くらいの熱サイクルで緩和されるようだ。
抵抗は上がっちゃうらしいが。
直径が任意に変わる tube のコンダクタンスの計算方法。
基礎定数になる G_p, G_T の値 (viscosity / pressure 依存性) は ref6〜7
(と言ってもこの著者のやつだけど) にあるらしい。
Ru/Si 基板に (BS)TO を積む話。
基板側に RF bias をかけると 325℃ でも結晶化して比誘電率が 400 くらいになった、
とのこと。target power は 400W、基板側の power は 0〜140W。
形成初期だけ bias をかけるとさらに良いらしい。
しかし gas pressure が書いてない…通すなよこんなんで。
買うといくらなんだろうか。
これ
か。$33。うーむ。
以上、1 日分です。
タイトル一覧
中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
Since 1999-10-07
RSS feed,
更新時刻,
LIRS エントリ,
アクセス制御
(解説)
中野のホームページへ