PLD の time resolved OES。特に N2 を入れたときの CN 生成について。
SAW 波の評価に XRD を使うのって流行してきてるらしい。ふーん。
結晶が良くなってくると運動学的な回折理論だと問題が出てくるそうで、
動力学的なモデルが必要だ、と。これは Si 結晶を対象に行った結果。
rocking curve と合わせている。線源の単色性が相当良くないと (Δλ/λ〜10^-5〜6) だめみたいだけど。
substrate curvature から film stress を求める Stoney の方法の、
円形基板への拡張。Stoney の式は beam のやつだから。
式を追ってちゃんと理解できると面白そうではある。
MD simulation。 Cu void の growth。応力とかの定量的な情報はあまりないかな。
Si3N4 or Si ターゲットからの反応性スパッタ。
酸素は混ぜてないけど oxy nitride (苦笑)。
optical abs, XPS, Al/SiN/Al 構造の I-V。
Wet SiO2 を H2/O2 中 1170 K で作り、nitridation を sputtering で行ったと書いてあるのだが…謎だ。 XPS, XAS で、主に N の chemical state の評価。
SEM で backscatter mode というのを使うと、SiO2 や SiOCH 層の下に埋めこまれた
Cu のパターンが見えるという話。数10nm くらいの void が見えている。へー。
n 型 Si の陽極酸化 (with 光照射アシスト) の速度論モデル。
porus Si を master でやる人がいたらちゃんと読んでもらいたいところ。
表面拡散に異方性がある場合のモデル。step bunching の growh rate が flux の quartic になるというのは新しい結果か。
DFT 計算。Pd と Au。触媒方面を意識している。
Au の最外殻の 6s は Mo の E_F より上に来て、
イオン状態になりうる、という予想。
へー。superstrate 型。RT で 385nm (FWHM 〜20nm) の UV emission。すごいな。
ほー。4ML くらいで RHEED に spotty なパターン、ex-situ AFM で facetted な island と。
Au island から plasma-assisted 蒸着して成長させた ZnO ロッド。
Pd でコートすると、N2 中 10 ppm の H2 に対して ΔR/R が 2.6%、
500ppm のときは 4.2% とか。O2 には反応しない。