なかのにっき

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2005年09月20日(火) [n年日記]

#1 帰り

原付。思ってたより早く終わったので帰宅。

#2 行き

原付。曇り、小雨がパラパラ。
三鷹 3hawks で pdumpfs 用の 300G HDD と、自分の bos 用に 3mode FDD。

#3 [book] アスキー 10 月号

NAS 特集。パフォーマンス対決と称して 10base な Dell の PC と性能比較をしている。馬鹿か? Devian とか typo もあるしダメすぎ。

#4 [labo] XPS データ解析

飯村くん・仲田くんに lecture。 どうも自分の box では samba drive からの Matlab (DOS) が上手く動かない (graphic 表示させると固まる) のだが、 k のシリーズはちゃんとできるなあ。うーん。

まとめてくれた。まあほぼ予想通りというか。 これでだいたい秋の真空のネタは揃った感じかなあ。

#5 接骨院

往復。帰り際東伏見のマクドナルド *1 を出たところで大雨、合羽を着用して突破。
*1: いつもは北口のモスバーガーを利用するのだが、今日は珍しく休みだった。

#6 [book] 司馬遼太郎が考えたこと 9

接骨院で読了。著者の周りに物故者が増えてきている。

#7 スヌーピーマグカップ

ゲット。期限までにもう一個くらいもらえるかもしれん。

#8 [paper] 今日拾った論文 (PRB 72(5-8))

Family of noble metal nitrides: First principles calculations of the elastic stability:

最近 PtN2 というのが高温高圧条件で見付かったのを受けてのことらしいが、 full-potential LAPW (LDA/GGA) で IrN2, AgN2, AuN2, PtN2 の計算。 fluorite structure で安定構造になると言ってる。 弾性定数の値も。

Cubic boron nitride thin film growth by boron and nitrogen ion implantation:

mass-selected な B(11) と N(14) のイオンを 500eV で 250℃ の Si(100) へ降らせて seed layer を作り、 その上に 500eV〜43keV, RT〜250℃ の条件で second layer を積んで その上に、FTIR で c-BN のピークを見た話。 TEM と B+(10) インプラ後の SIMS なども。

Large electromechanical response in ZnO and its microscopic origin:

wurtzite ZnO の電気機械定数 (d33) の第一原理 DFT 計算。 12.84 pC/N。wurtzite 構造でのこの大きな値の起源が、 polar bond の stretch ではなく回転である、という提案をしている。

Quantitative microscopy of magnetic domains in Fe(100) by core-level x-ray photoelectron spectroscopy:

magnetic circular dichroism を PEEM で見てドメインを見ちゃえ、 というすげえ話。エネルギー分解能 110meV の電子レンズを利用。

Temperature and fluence effects on the evolution of regular surface morphologies on ion-sputtered Si(111):

基板温度 500-750℃、oblique incidence (60deg〜normal)、エネルギー 250〜1200eV で Kaufmann 源から Ar を当て、ripple 形成を AFM (と in-situ の UV scattering) で見た話。Bradley-Harper モデルによる記述に加え、 fluence の非線形効果について。

Planar metal plasmon waveguides: frequency-dependent dispersion, propagation, localization, and loss beyond the free electron model:

SiO2 に埋め込まれた Ag slab の SPP 導波路特性。 誘電関数を真面目に取り込んだコンピュータシミュレーション、とのこと。 とはいえ 12 nm とかそのへんになると、 そもそも膜がちゃんと balk like なのかどうかという問題が出てきそうだが。

Introduction and recovery of point defects in electron-irradiated ZnO:

2MeV RT electron での欠陥導入と 300〜600K アニールによる recovery の positoron annihiration による観察。600K で完全回復ってそんなもんなのか。 欠陥の消滅プロセスを見て、単体の欠陥か複合体かなどの議論。 あと活性化エネルギーも。 O vacancy の方が Zn vacancy に比べて 10 倍多いとか、 V_O のイオン化の活性化エネルギーが 100meV だとか。

Nucleation and growth of Si(111)-sqrt(3)×sqrt(3)-Ag investigated in situ using second-harmonic generation:

Si(111) 7x7 で YAG の 1.17eV で見える SHG が Ag の depo とともにどう変化するかを見た話。 低温だと減るだけなのが、ある程度以上の Ts (〜338℃) になると 1/3ML まで減ったあと再び増加するらしい。 温度依存性とシミュレーションを比較することで、 表題の構造の臨界核の大きさが導出できた、としている。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp> Since 1999-10-07
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