なかのにっき

CuInS2 結晶の時間分解 PL。1.533eV の emission が見られ、 これは free exciton と束縛 excition の中間で、 かつ decay が非常に速い→ので、biexition ではないか、との主張。

O porarity な ZnO 上への GaN の PLD 成長。 RT だと Ga porality, 700 ℃以上で N porarity。 しかし RT depo な buffer layer を入れると 700℃ でも Ga porarity な成長が可能とのこと。 RT では第一原理計算で anion inversion が起きる起源を説明している。 700 ℃の方は良くわからないが、 500 ℃以下では急峻界面なのに対して 700 ℃では intermixing な 界面になるので、そのへんが効くのか、ということらしい。

ZnO LED に向けて、透明導電層があると良いので ITO の contact はどうか、ということらしい。結果 10^-5 Ωcm^2 以下の contact 抵抗が 50〜450℃のアニール温度に対して得られたとのこと。AES depth profile から見て、 Ti 層が拡散バリアになってるのでは、とのこと。