diffraction limit 以下の pit array に Ag 膜を付け、
CD チックな readout setup で 780nm, NA 0.45 でも
array の period に対応する周期信号が取れた、という話。
裏側から laser を入射してるのがミソ、ということらしい。
ただ周期信号は pit を直読していない場合でも出るだろうし、
Ag 膜厚などの細かい条件が欠けているのもやや気にいらない。
negative refractive index を使った superlens のレビューとして
intro の部分は役に立つかも。
表面に 20nm の Cu3Sn 層を形成すると、
表面拡散の path が潰せて electromigration による破壊が起こりにくくなり、
寿命が一桁くらい上がるよ、という話。
LNO の Ar/O2 雰囲気中 PLD で生じる plume を分光・位置分解・時間分解測定した話。
おもしろい。やっぱり発光ピークは target からだんだん離れていくんだな。
電流密度を変えて陽極化成した PS の XRD から粒径分布を見積った話。
BULACCO という Fortran のコードがあるらしい (ref.4)。
電流密度が大きいほど粒径は小さくなってるけど (5.19nm@20mA/cm^2→4.64@80)。
PS の測定もしている。
CVD で作った SiOx を 1100℃ 3h のアニールをするとき、
Ar 中でやるか Ar+5%H2 でやるかで PL に違いが出る、という話。
H2 が入ると長波長の強度が上がり、
これは dangling bond の passivation によって radiative な
recombination が enhance されたのでは、という議論をしている。
裏付けに富んでいる、というわけではないけども。
NTT 基礎研の本間さん達のグループ。Si(111) ([1 -1 2] 方向へ 1 °miscut)
上の homo MBE での step bunch 形成の ex situ AFM 観察。
650〜800 ℃あたりで bunch の形成過程が
kink のできかたなどが異なる 4 つの region に分かれる、という結果。
bunch 高さの size/time scaling など。
a-Si:H 形成時の表面 smoothing を MD (+DFT)
計算で評価した話。precursor の拡散が速いとか、
valley に取り込まれて Si-Si backbond x2 を作るから、とかいう結論。