なかのにっき

Si (100) 基板に 2mTorr でスパッタ (T-S 6cm、rate=0.4nm/s) した Mo 膜の応力を substrate curvatureから測った話。回転基板ホルダの上に置いたやつで、 移動方向とそうでない方向とで面内でも異方性がある、という式で。 移動方向の方が強くなるらしい。SEM で見ても、確かに回転方向に異方性がある。 おもしろい。 あとは膜厚と応力の関係から、応力の depth profile とかを出している。 成長と絡めて議論できるとまあ面白いのだろうけど。 ref1-3 が review。MRS Bulletin の 2002 年 1 月号は自分の書棚ではちょうど欠損していた…

Zn ターゲットからの反応性スパッタ、圧力は 0.2〜0.5 Pa、T-S は 60mm。 8" の円形ターゲットの中心軸を通るように幅 2mm 高さ 15〜35mmの仕切り ("blind") を立て、斜め入射させて c 軸を傾けた話。shear モードが励起されるのでは、 というのが motivation らしい。 これでは平均の入射角と軸の傾きがほぼ等しい、という結果になっている模様。 傾けると FBAR で使ったときのカップリング定数が下がる… ということで、すぐに performance には効く、ということではないみたい。

Ru の傾斜スパッタ。基板は p型 Si(100)、ターゲットは 3"、T-S は 18 cm で圧力 は 2mTorr。基板は tilt するのだが、法線を回転軸として 〜30rpm くらいで回転。 SEM, TEM, XRD, pole figure。 oblique が 85 度に対して column の傾きは 46度。いわゆる tangent 2 倍のルールでは説明できないが。

Ar, N の flow は一定にしておいて、O を on/off するプロセス。 酸素は 0/4 sccm。ターゲットは 2"、Ar は 0.3 Pa、全圧は 1.1〜1.6 Pa。 0.2A の定電流で 380〜470 V くらい。O on/off の period は 25sec、 duty を 0〜50% に変えて、deporate、transmittance、RBS で組成、 XRD…はなにやらわからんな(笑)、あと indentation。

GaSb のスパッタエッチングによる表面形態の変化。 semiconductor だと normal incidence で 100nm くらい (エネルギーに依存) の dot 構造ができる (target を回転させると off-normal でもできる) のだとか。 このへんの理論モデルは ref10 とか。ここでは入射角を 0〜50度と変えて dot to ripple の遷移を見ている。 だいたい 20 度くらいで ripple に。ただ波数ベクトルが入射面と直交、 これは Bradley & Harper のモデルとは逆。でも金属でない場合にはよくあるんだそうな。ふーん。不純物の効果とか、アニールで再結晶可能かどうかなどについての議論も。

Dew 先生の。 0211 glass や Si (100) の上に 50 nm の Cu をスパッタ、 1.2keV の Ar+ を 82度で入射してエッチング、ripple ができるとの話。 中途を SEM で取って、image をフーリエ解析。 wire かどうかについては、うーんどうなんだろうか。 digital な simulation で幅と diffusion length (jump rate と言ってるけど) との相関も。

標記関数が膜の clustering などの評価に良い、ということらしい。 入射エネルギーの違う 2ML の Co 膜に適用して scaling fit のようなことをしているけど、 正直どうかな、まだ成長ダイナミクスと絡めた議論ができているとは思えない。

porus Si への化学修飾が表面に留まっているか内部に浸透しているかを XPS の depth profile で見た話。アミノプロピルトリエトキシシラン、 トリエチルアミンなど。bio 系を意識した話らしい。 両方とも浸透してる、という結果。

Si powder からの蒸着で圧力を 2.7〜4.0E-3 Pa 程度にしておき、 成膜速度で組成 x を調整するというなかなか斬新なl preparation。 その後 Ar 雰囲気で 1000 度アニールを 5-40 min。 flat な n 型 Si 上に付けて MOS 特性、 あと尖らせた Si 上に付けて field emission 特性。 いわゆる ballistic emission あたりのモデルの話も。