JAP の URI は試しに doi で記録してみることにした。
epi 成長で step flow が (step bunching などが起こらずに)
継続する条件について考察した話。
実験としては STO 上への PLD による SRO の depo。
なんでスパゲッティは折れるとき 3〜4 本に破断するのかという話。
たわみが (あるところの破断によって) release されたときの
"flexural wave" の dynamics が解けて、
より大きな曲げを発生させることが導けたそうな。へー。
103 ページ、672 refs のレビュー。まさに comprehensive。
p-type ZnO についても 5 ページほどが割かれているが、
As a conclusion to this section we can state that despite
of a large number of recent reports on p-type ZnO growth by
various methods,50 no reproducible high-quality p-type layers
are available yet. Further efforts to solve this problem are
needed. In particular, careful analysis of the experimental
particularly the interpretation of the Hall data in cases
of very low Hall mobilitie, better understanding of the
physical properties of point defects in ZnO, and development
of some unconventional methods would be useful.
らしい。ふむ。他にも diluted magnetic semiconductor, BG engineering,
nanorods synthesis など。
Han 先生のとこの。ISSP のときにも話していたかな。
unipolar pulsed-DC での時分割 Langumuir probe 測定。
unbalanced であることはどこに効くんだろ。
PDP。EB 蒸着。
組成が同じでも、基板温度・蒸着速度で preferred orientation は違うらしい。
それに対応して表面 morphology もいろいろ。
だいたい 100nm くらいの、grain 状/triangular な構造をとったりしている。
Zr 組成が 0.05〜0.2 あたりでは、PDP 特性は微妙に良くなったとしている。
名大佐々木先生の。LIF の Doppler で Fe の速度分布を測った話。
いつぞや応物で聞いたやつかな。
MBE。窒素はどうやったかは ref.23 らしい。
これも growth rate によって stress の evolution が違ってるということだけど。
4 端子測定によるシート抵抗/Hall coeff 決定の話。
前からこいつのちゃんとした計算例を見てみたかったので嬉しい。
複素平面での周期境界条件を使って解析解を計算している。
ちゃんと読んでみるときっと面白い。
位置のずれは思ってるほどは効かないんだよ、とか。
つーか割に elementary な話のような気はするのだが、
revisited という感じなのか？
InN へ Cr を入れた duluted magnetic semiconductor の系。Cr/In は 0.05〜4%。
plasma-assisted MBE。
分光特性と PL からは、CrN の indirect gap (0.7eV)
に対応する構造があるということらしいけど？
Ti と Al の magnetron 2 つから 0.35Pa, Ar/N2(flux)=4/2 or 4/1.2,
Ts=150,300℃ という条件で depo, in-situ XRD, RBS, XTEM。
deporate が早いと initial (001) preferred→(111) preferred。
ゆっくり付けると (001) のまま育つそうな。
原子状 N があると 001 が優勢になるという計算例があるそうで、
そいつじゃないかということらしい。