slide No. 5 / 8

製膜に用いた装置と、実験から得られた成膜速度をお見せします。

装置のターゲット付近は左の図のようになっており、円筒対称です。ターゲットと基板ホルダの半径は4cm、基板とターゲットの間隔は5cmです。

製膜にはDCマグネトロンスパッタを用いました。ターゲットは銅、ガスはアルゴンです。アルゴンガスの圧力を色々に変えて製膜を行い、その際の放電電力は100W一定としました。

右の図が成膜速度の圧力依存性です。横軸がガス圧力で、縦軸が製膜速度です。圧力は2から20Pa まで4つの条件をとりました。成膜速度はおよそ0.1nm/s程度の値でした。一番圧力の高い20Paでは速度が低下していました。