なかのにっき

＠ Infrared surface plasmons in two-dimensional silver nanoparticle arrays in silicon:

SiO2 matrix に Ag island を埋め込んで、形状を TEM でとり、吸収分光スペクトルとモデルの比較をしたもの。 ATR で見てみても面白いかなあ。

＠ Proton-beam-induced defect levels in CuInSe2 thin-film absorbers: An investigation on nonradiative electron transitions:

欠陥準位を調べるのに、piezoelectric photothermal spectroscopy という方法があるらしい (ref4)。これを proton damage を与えた CIS sample に適用したもの。

＠ Effect of sputtering pressure on residual stress in Ni films using energy-dispersive x-ray diffraction:

0.2-1.4 Pa。0.8 Pa あたりで compr->tensile な典型的振舞い。しかし 0.2 Pa で bias かけたら、-15～-150V の全域で tensile になったらしいけど。

＠ Plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiO2 from a Si(CH3)3Cl precursor and mixtures Ar/O2 as plasma gas:

O* のピークはやっぱり 777nm のを見てるなあ。

＠ Determination of Ti+-flux and Ar+-flux of ionized physical vapor deposition of titanium from multiscale model calibration with test structures:

比較的単純な MC。実際の trench との比較を行っているところなどは SIMBAD 的か。

＠ Surface morphology and dynamic scaling in growth of iron nitride thin films deposited by dc magnetron sputtering:

α=0.65～0.39、β=0.53～0.29 で、ガス中の N2 が多いと小さくなる。 α+α/β=2 という KPX の関係はどれも満たしていたそうな。

＠ Ionic densities and ionization fractions of sputtered titanium in radio frequency magnetron sputtering:

沖村先生の。高圧 (～数10Pa) だとイオンの割合も結構増えるよ、というもの。

＠ Inorganic electret using SiO2 thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering:

KIT 南先生。とりあえず最適条件。 Si/O 系のスパッタを論文にするとしたら、ref のネタとしては良さそう。

＠ Simplified model for calculating the pressure dependence of a direct current planar magnetron discharge:

Buyle さんは ISSP2003 でも発表されていたような。

＠ Super-smooth indium?tin oxide thin films by negative sputter ion beam technology:

ITO ターゲットの表面に適度かつ継続的に Cs を撒くと、表面の仕事関数が下がって In とか Ti の negative ion ができやすくなるらしい。ふーん。

というところで JVSTA 2003 issue4 まで。 AVS の proc なのだけど、掲載基準が厳しくなったのか、本数が昔に比べてだいぶ少ないなあ。

んで issue5 は 50th anniversary だったらしい。よさげな review をいくつか。

＠ Transitioning from the art to the science of thin films: 1964 to 2003:

Green さんの。

＠ Thin film deposition with physical vapor deposition and related technologies:

Rossnagel さんの。

＠ Nucleation theory and the early stages of thin film growth:

Ratsch & Venables。

＠ Impact of plasma processing on integrated circuit technology migration: From 1 μm to 100 nm and beyond:

田地さんの。

＠ Influence of modeling and simulation on the maturation of plasma technology: Feature evolution and reactor design:

Graves & Kushner。

そして issue6 へ。

＠ Measurement of the plasma potential adjacent to the substrate in a midfrequency bipolar pulsed magnetron:

100kHz の pulsed DC sputtering plasma の plasma potential を emissive probe で測定したもの。 20ns の時間分解能を達成したとのこと。回路も載っている。

＠ Spatially resolved mass spectrometric sampling of inductively coupled plasmas using a movable sampling orifice:

む、手法的にはそのものズバリ。

＠ Experimental and computer simulation studies of the "baffled target" reactive sputtering process:

粒子を通し、あるていどコンダクタンスを絞れるバッフルを付けた場合の Berg モデルについて。粒子の transport について、ちょいと気になるが…

CINDAS LLC provides critically evaluated materials properties databases for thermal, mechanical, electrical, physical and other properties of various materials. We provide CD-ROM and Web-based applications for searching and comparing continually updated data. There are over 600 materials and over 11,000 data sets in the Microelectronics Packaging Materials Database (MPMD) and over 5,000 materials and over 50,000 data sets in the Thermophysical Properties of Matter Database (TPMD). Please try our free demos of the web-based applications of both the MPMD and the TPMD.

yearly license が $1500。うーむ。

実感に近いな。最近 global な class C を下流に持ってる gw マシンの iptables ログも 10k attacks/day に近くなってるしなあ。

紙の裏表によって給紙エラーが出易かったりそうでなかったりするらしい…

原付。うひー暑い。溶けそうだ。