なかのにっき
最新版はこちら。
突っ込みは各日付の BBS エントリのほか、
メール (nakano@st.seikei.ac.jp) や
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からどうぞ。
なおスパム除けのため、BBS 機能には
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います。
検索エンジンから来た方は、エンジンの方のキャッシュを見るか、
下の簡易検索を試してみてください。
hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
#1
[issp] invited 関連
謝罪メール。英語で書くのは (日本語でもそうだけど) 大変気が重かった。
原付。まだ夜は涼しい。
#3
家無線 LAN
どうも内蔵バッテリーが切れたようで、
停電後には時刻を保存しなくなったし、
電波がいまいち弱かったりと色々都合が悪くなってきた。
あと家の Linux 端末として使っている TP600X で PCMCIA 関係の認識が 2.6 系カーネルで刺さっている模様。いっぺんちゃんと upgrade しないとだめか。
発生。やっちまったか？
原付。今日は曇ってそれほど暑くない。
三鷹 3hawks で Buffalo の無線 LAN ホストを購入。
2.5 ページほどを 2h くらいで。
#7
コンプレッサ
以前に買ったところは値上がりしていたので、他の業者さん (3 箇所)
に見積依頼の fax。
#8
[vsj] 夏季大学テキスト
着。松風苑には電車で行くか車で行くか迷うところだ。
2.4 カーネルで起動して有線で繋いで dist-upgrade 中。
あー、どうやら 2.6 カーネルで pcmcia がうまく
drive できてなかったっつーことだけらしい。
原因探索もダルいので、もう 2.4 で使い続けることにする。xorg は上がった。
ということで
shadow.po の update を振っていただいたので、教えてもらった
current
を持ってきてふにふにと作業。
どうも
前に送った
やつが cvs tree には反映されてないみたいなのがナニだけど。
とりあえず武藤さんに教えていただいた msgmerge を使い、
mule-ucs と gettext-el を入れて作業。fuzzy は resolved。
usage の訳が多くて面倒くさいな(苦笑)。
ソースみないとわからなそうなのもいくつか。まあ残りは週末にやるかな。
作業中のやつは
ここ
に置いときます。なんか来週頭には 4.0.18 が出るそうだけど。
#11
[paper] 今日拾った論文 (JJAP p2 45(12-16) JJAP p1(45(3B,4B)))
part2 は weekly になって、一月単位でまとめられることになった模様。
part1 も 4 月から
にしたし、これもまあ日和って 4 月分からということで
(既に 3 ヶ月以上経ってるけど (^_^;)。
part1 の各月 B は Special Issue になったのか。3B は STM/STS の特集号、
4B はこれ SSDM の proceeding なのかな？
200〜500 ℃で原子状水素 (1×10^-6 Torr の水素を 1700℃ の W filament で crack したもの) に晒すと、N polar な表面では In ドロップレットが発生するが、
In polar な膜では生じないのだとか。
南先生。いわゆる RF-DC。水素添加の影響についても。
SiO2 matrix に In を doping しておくと nano-Si の PL 強度が強くなる、という話。
0.46 at.% で max になるとのこと。マルチターゲットからの co-sputter、
N2 雰囲気中 1150℃で 30min アニール。PL の Lifetime はドーピングとともに短かくなる。
#12
[paper] 今日拾った論文 2 (APL 88(16), PRL 96(15), TSF 508(1-2))
TSF は
ICSI-4
の prceeding 号。
SOI 上の Si ベースの pn 接合。その上に SiO2 の cap layer を付け、
Ag islands を撒いたり ZnSe 層を付けて表面プラズモン条件の matching を
取ったりすると出力が enhance される、ということのようで。
でも実用にはなるんかなあ。
(7/28 追記) 7/24 の日刊工業に、同様の構造の Si LED が載ってた。
channel を薄くして擬似的に 2D 構造とすることで、
膜厚方向に量子化させて indirect を direct にしようということらしい。
なるほど。
前に飯村くんが輪講でかけてくれたやつかな。
Aachen Univ, Uppsala Univ のグループの共著で oxynitrides deposition。
N を混ぜるとむしろ O による hysteresis が緩和される、という話。
スパッタした AlN で、ピエゾ特性に効くのは 0002 の鋭さではなく、
むしろ他の面が混ざっていないかどうかだ、という話。
pulse DC @300℃ on Si(100)、高圧 RF on Si 酸化膜 & Pt/Si(100) 基板。
成績が良かったのは酸化膜上のやつ、というところがおもろいな。
porous Si を bio センサーに使えるかどうかを定量的に考察した話。
屈折率変化による cavity の reflectance minimum の移動ですね。
電気化学のノリで Pt 膜を electryte に付け、counter electrode に電圧かけると
Pt 膜自体の抵抗が変わる、という実験。
まあ charge が足りなくなって〜ということでしょうが。
Si(100) 2x1 表面からの Si 2p の微細構造の理論計算。
構造パラメータと energy shift には相関があるから、
光電子分光と計算とを組み合わせると構造解析にもつながるよ、
と言ってるけど。
以上、1 日分です。
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