先週読めなかったので二週分。
Fe を UHV で K-cell から蒸着、カンチレバーで
compressive な応力を測定、STM で morphology を観察。
起源として、island 状態の結晶が Laplace stress により shrink するのが、
coalescence の後にも影響として残るモデルが妥当とのこと。
Fe は mobility が 310→520K あたりでだいぶ変わる、というのもおもしろい。
まあタイトル通りの論文。Stark 効果は非対称のプロファイルになる。
Ar の filament 放電で〜10^15/cm^-3 ってのはそんなもんか。
Si や InP の STM oxidation。電流が減らないから。
step 回りの 3x1 と √3x√3 の出現・移行を調べた話。
motivation としては、Ag surfactant として Mn や Fe を成長させる場合、
step 周辺で nucleation が優先的に起こるから〜ということらしい。
ガラスの熱処理に伴う仮想温度の変化が屈折率などに影響を与えるのが悩ましい、
じゃあドーピングしてみるとどうなるか、という話。
ほとんど Δn/ΔTf の係数を 0 にできるよ、という結果になっている。ふうん。
ZnO と、各種半導体 (incl. ZnSe, CdS, CIS, CIGS 系各種) との
valence band offset の compilation と、
その界面 gap 準位の branch point energy による説明。
nc-AFM でバイアスかけて〜という、まあそういう話。
Co は Ti 置換の +2 状態になってて、
磁性発現は carrier origin のものではないよ、と。XRD, TEM (EDX), NEXAFS。I-H は SQUID。
硝酸銀+HF の溶液に 50℃ 60min、硝酸に 4日、そんで anodization。
SEM, EDS, FTIR, PL。Si-H bond の変わりに Si-A ボンドで passivation
させたから良く光ったでーということらしいが。
CdS の Cd がやばいので代替材料として ZnO はどうか、
その時の界面反応は〜というわけで XPS と XES (emission) を見た話。
bath で作ったときに入る H2O がどうも悪さをするらしい。
表面準位があまり変わらんのと band bending とのせいで、gap そのものが見えるわけではないようだ。なるほど、分子エレクトロニクスの方面に使えるのか。
なんか似たようなのが二本続くところに作為的なものを感じるが。
こっちは STM/AFM。ドーピングの反転層を STM モードで見たとき、
針が引き込まれるのは depletion のせい？
まあ MIS の I-V なわけだけど、
いまいちそこで force が測れて嬉しいのかどうかがよくわかんないなあ。
SiO2/Si 上に Co を depo、それを catalyst として SW C-nanotube を成長させる話。
なにがコンビかというと、
Co デポのときのマスクの穴径の分布に傾斜を持たせているところ。