なかのにっき

plasma から壁に付着した原子・分子の挙動を見るために、 壁を高速 (200,000 rpm!) で回転させ、 周期的にプラズマに晒して、プラズマとは逆側の差動排気チャンバーで質量分析した話。 O2 プラズマを on/off して、回転速度を上げると m/e=32 のピークが増加してサチることから、酸素原子の再結合脱離反応の速度について評価している。 なんか無駄にすげえ。

Hecq 先生のグループ。 pulsed-DC + ICP 追加熱なプラズマで Ti+ の時間分解吸収分光。 Ti の pulsed Hollow cathode lamp が光源。 電流の時間変化と合わせ、metal ion の流れについて議論している。

Si 上にポリスチレンをスパッタ、その上に Au を傾斜膜厚で同じくスパッタ堆積、 grazing 入射小角 X 線散乱で粒径を評価、特に蒸着との比較。 質量膜厚が同じだと反射スペクトルは似たようなものになるが、 粒径は異ったらしい。はて。

お、阪大のグループ。齋藤くん、青野先生が著者に入っている。 銀粒子を STM チップの下で微妙に動作させたときのコンダクタンス量子化について。 例の Se 化物スイッチの前にあった研究の流れかしら？

rf プラズマの Langmuir プローブ測定で、RF 成分の補償 (フィルタを 介在させてインピーダンスを上げて電流の RF 成分を落とす) をしなかった場合の I-V について考えた話。プローブ回りの PIC-MCC と実測。 まあ時間平均によって I-V 特性も変わってくるわけだが。

また Hecq 先生のグループ。 Ti の pulsed-DC スパッタで、パルス幅を変えて時間分解 OES、 Ti と Ti+ 比についてなど。

ZnO のスパッタ膜に Al, Ag, Sb, Sn のイオン打ち込み、 SIMS と分光エリプソ。rough 層を含む 5 層モデルで打ち込み層の屈折率スペクトルを求め、バンドギャッップに与えた影響の議論。

CIGS 太陽電池の吸収層の Cu の concentration を変えて…という割合ベタな話。 ソーダライムガラス/Mo/CIGS (co-evap) で抵抗率測定試料、 cell はさらに CdS (chemical bath)/ZnO (sputt)/ZnO:Al(sputt) 一部の試料は Na を避けるために Al2O3 層をガラスの上に引いてから作ったとか。 抵抗率、セル特性、膜構造 (SEM, grazing-XRD)。Na free だと面内抵抗率は 3 桁くらい上がるのに、cell の shunt 抵抗はほとんど変わらない。んでρは Cu 組成に対して exponential に減少。ふーん。GB 密度と絡めて議論してるけど、こんな綺麗な結果になるんかなあ。