なかのにっき

• 前回 #7059 を切ってもらった 精研硝子 に合成石英基板の見積をお願い。
• p 型 Si がもうない、という連絡をもらったのだけど、 昨年 12 月に 25 枚のを買っている ので、使い切ったのかどうかを一応確認。

ヘッドは即納だけど、コントローラ・ケーブルが 40 日、という連絡をいただく。 コントローラは今のが使いまわせるのでケーブルだけなんとか先にならんか、 最悪自作するので配線図くれないか、という交渉をする。

というかヘッドだけもらってもしょうがないわけで。 なんでそんな話になるんだろうかね。

いわゆる BCS 論文の紹介。 ふと思ったが PRF って科学英語の教材に大変良いのではないだろうか。

アネルバ中村さんのイオン付着マススペ。環状の CF 化合物プラズマが対象。 2.1 Pa, 3sccm で ICP 25〜200W というところ。 各 species の RF 電力依存性について。

SiGe の LPCVD において、装置メンテの後に見られる O 不純物の起源について、 装置のリーク・アウトガスなどから考察した話。 これは参考になりそう。

pulse DC 反応性マグネトロンスパッタで anatase TiO2 を作るのに必要な基板温度は何度か、 という話。intentional heating はしていないが、表面温度計測をしている。 T-S 依存性、power 依存性、ターゲット (Ti or Ti5O9) など。 ターゲットの違いは、熱伝導によって基板温度が変わる効果。 要するに基板温度上昇でいけている、ということらしい。 表面温度 160℃くらいで anatase 結晶ができるとのこと。 でも高速成膜だとそれ以下でも、というのがよくわからん、らしい。

3-30nm の Si 微粒子、SnOx 微粒子を気相成長させてメタルの上に体積させ、AES, EELS を見た話。 Si 微粒子は 1nm 以下程度の native oxide で覆われているだろう (測定は ex situ)、 EELS のプラズモンピークは径と共に高エネルギーにシフト、ΔE〜d^-1.2 くらい。 Penn のモデルというのがあって、Eg と Ep は比例する、 んでもって Si の場合の Eg のサイズ依存性は 1.39 くらいなので、 まあまあではないか、というような議論。

1um の SiO2 (over Si) に Gd をインプラ (0.25-9 at.%) して 800-1000℃でアニール、上に ITO 付けて EL を見た話。 900 ℃までは 1-3nm の Gd クラスター、 1000℃まで上げると GdO2 が見えてしまうらしい。 density は 1.5-2 % あたりでピーク、アニール温度依存性は 800℃と 900 ℃が同程度で内部量子効率にして 5% くらい、 decay time は温度と共に述びて 1.3〜1.8 ms くらい。 ITO って 316nm あたり普通に通すのか。

高温固体と接触させている気相の接触界面あたりにビームを通すと、 屈折率勾配によって光が曲がる現象を photothermal deflection と言うそうな (蜃気楼の原理と同じ)。 ここではビームサイズの影響を取り入れた以前の著者らの話をもとに、 実験的に dn/dT を決定している。surface と beam の distance を (um オーダーで) 決めるのも困難であるらしい (回折のせい？)。 圧力は書いてないけど 1 気圧の話か。N2, O2, CO2 あたりの Thermal Diffusivity とかが実験的に出ているから、ガス理論と比べると面白いのかも。 学生実験でやっている熱拡散率の課題とセンスは似ているな。

青野先生のグループの AgS2 スイッチ絡みの話。 70nm の Ag を Si(001) 上に付け、硫化して構造・組成とそのスイッチ特性に与える影響 (Ag rich が必要らしい)・I-V などを見た話。 どちらかというと割合基礎的なところとお見受けした。

溶融石英上に 0.5 nm の Co と 20 nm の SiO2 を口語に EB depo、 3.2nm (size disp. 16%) の微粒子ができたので、 800 ℃ 5 分の真空アニールの後に磁化率測定をした話。

Ag 上に堆積させた氷の層に 25keV の Au, Au2+, Au3+ や 20 keV の C60 を入射させ、 厚さを 10〜250Åに変えて下層から出てくる Ag の decay 特性長を見た話。 重い順に特性長は短かく、MD シミュレーションと合わせて、 energy delivery が深くまでいかないせいらしい、いわゆる laterall sputtering があるからでは、という結論。SIMS 絡みの話。

標題表面の金属状態の adatom モードの異常なバンド分散が、 electron-phonon の相互作用でうまいこと説明できる、という話。 ARUPS と Eliashberg 関数に Einstein モデル使った計算結果。 バンドのエネルギー広がりの温度依存性から結合係数を求めた、というのも。

Amp. 18V, 1MHz の矩形波をギャップ電極の間にかけ、 そこに 0.055M のインジウムアセテート水溶液を垂らすと single crystal wire が育つ、という話。電圧と濃度によって dendrite になったりwire になったり。

タイトル見て拾ってみただけ。Pyrex の細管とかポリプロピレンに付けて 3〜4 K 以下で M が出る、と。 つか Au の nanoparticle に magnetic moment があるつーのが 1999 年に見付かっていたらしい。

雨雲が抜けるまでの時間潰しに。 sid で libtie-ical-perl を apt-get して、

#!/usr/bin/perl

use Tie::iCal;

system ('wget -q http://www.google.com/calendar/ical/ふがほげ@gmail.com/public/basic.ics');

tie %my_events, 'Tie::iCal', 'basic.ics';
while (my($uid, $event) = each(%my_events)){
        if (${$event}[0] != 'VEVENT'){next;};
        %ent = %{${$event}[1]};
        print $ent{'SUMMARY'} . "\n";
        print $ent{'DTSTART'}[1] . "\n";
}
untie %my_events;
unlink 'basic.ics';

というような感じで舐められるようだ。 日付の parse は Date::ICal を使うんかな。 RRULE のあるやつは repeat に落とす感じで。 休日ハックでなんとかなりそうだ。

反応性スパッタの MC シミュレーション (TRIDYN というらしい) で、 表面の binding energy を Al の酸化物・窒化物に対して評価した話、らしい。 XPS の 2p のピークシフトと関連している、ということそうだけど。 まあ複写依頼しとくか。

Ga/(In+Ga)〜0.3 が良い、らしい。

錯体の tiocyanate を使ったのがキモだとか。

これは Se も electrodeposition で付けてる模様。

CCSVT は chemical close-spaced vapour transport の略。

roll-to-roll。absorber だけでなく、back contact の adhesion やら interconnects やらも話題にしとるで、ということらしい。10 pages。invited talk かな。

位置分解 PL。ちょっと面白そうかも。

電源・SATA HDD を取り付けて bios では認識、kernel では単純には認識せず。 ドライバはなんじゃろ、と徹底入門を調べたら、config のときに "Intel PIIX/ICH SATA support" を Y にする旨が書いてあった。 さてこれの名前は…とカーネルソースアーカイブを見るも、 2.6 って Configure.help じゃなくなっていたのだな (浦島太郎)。

こういうとき google が無いと激しく迂遠なことをする破目になるのだが、 結局ソース以下の drivers/scsi/Kconfig に書いてあった。 ほんで modprobe ata_piix して dmesg を見たら

ata1: SATA max UDMA/133 cmd 0xEFE0 ctl 0xEFAE bmdma 0xEF90 irq 177
ata2: SATA max UDMA/133 cmd 0xEFA0 ctl 0xEFAA bmdma 0xEF98 irq 177
ata1: dev 0 cfg 49:2f00 82:346b 83:7d01 84:4023 85:3469 86:3c01 87:4023 88:207f
ata1: dev 0 ATA, max UDMA/133, 586072368 sectors: lba48
ata1: dev 0 configured for UDMA/133
scsi0 : ata_piix
ata2: SATA port has no device.
scsi1 : ata_piix
  Vendor: ATA       Model: ST3300831AS       Rev: 3.03
  Type:   Direct-Access                      ANSI SCSI revision: 05

という感じでどうやら認識したらしい。 /etc/modules へ追加。

デバイス名が不明だったので、wild guess で fdisk /dev/sda したら、 どうやら当たりだった模様。何もせずに q して dmesg を見たら、

SCSI device sda: 586072368 512-byte hdwr sectors (300069 MB)
SCSI device sda: drive cache: write back
 /dev/scsi/host0/bus0/target0/lun0: unknown partition table
Attached scsi disk sda at scsi0, channel 0, id 0, lun 0

というのが追加されていた。 というわけで久々に partition 分割、

 デバイス Boot      Start         End      Blocks   Id  System
/dev/sda1               1        7125    57231531   83  Linux
/dev/sda2            7126       11875    38154375   83  Linux
/dev/sda3           11876       36481   197647695   83  Linux

のようにして (みみっちい) sda1 を /ohome に mount、NFS export。

古いコンテンツを

% foreach y (`seq 1995 2005`)
foreach? sudo rsync -axvH /home/${y}home /ohome
foreach? end

という感じで移動。samba は symlink も follow する設定になってたみたいなので、

% cd /home
% foreach y (`seq 1995 2005`)
foreach? sudo mv ${y}home $y
foreach? sudo ln -s /ohome/${y}home
foreach? end

したあと、1995/〜2005/ を rm -rf。 /home の使用率は 92%→68% へ。あんまり減らんな。 バックアップに /ohome を追加するのは、次の full backup のタイミングで。

ついでに LAN 側の NIC を DEC 21140-AF のやつから ALTIMA AC1002KPB のやつ (Buffalo LGY-PCI32-GT) に変更。 こっちのドライバは tg3。 eth0 で使うので、/etc/modules で de4x5 の前に書く。 おお、確かになんか速くなった気がする。

3mm 厚のポリエチレン表面に 2.2keV の重水素分子イオンを 4x10^16 D+ cm^-2 当てて、 電荷中和の有無によって表面が受けるダメージを評価した話らしい。 RBS、接触角測定、XPS、AFM。 中和すると roghness が減るけど、しないと増える、というのはわかりやすい。 あと C-O, C=O, O-C=O などの入りかたが中和によって違う、とか。

10 pages 41 refs の invited review。cvd による成長、精製あたりが主な議論。 マイクロカテーテルへの応用なども。

EB で飛ばした MgF2 に Kaufman イオン源から 300V 20uA/cm^2 の argon assist をして、基板温度とともに透過スペクトル・XRD・TEM 像などに与える影響を調べた話。 deporate は 0.2 nm/s で、膜厚は 765nm。アシスト時の圧力は 1.33x10^-2 Pa。 ion assist すると F poor になり、grain が小さく、 短波長側 (<400nm) での透過率が落ちる。あまり良いことないのか？(^_^;

レーザーアブレーションプラズマを分光することで、 もとの表面の組成を調べようという話。対象は Na/PMMA、 erosion が 0.86nm/shot のレーザー強度で、 420ppm を doping したところで±10〜20% くらいの信号が出ている。 まあ微量なら良いのかな。多くなると matrix effect でわやになりそうだ。

HOPG に 0.24 MeV の C_n^+ やら Al_n^+ やらをぶつけ、normal に出てくる secondary electron の energy spectrum を取った話。 クラスタあたりではなく原子あたりの二次電子カウントを取ると、 n が大きくなると yield が減る。図 5,6 は per cluster での話にしてるので、 最初はどうも変だと思った。 んで減少の理由として、forward emission した electron がクラスタイオン起源の positive charge に捕まるからではないか、という予想をしている。