なかのにっき
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hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
メモ。吉祥寺のコーヒー豆屋さんらしい。こんど買ってみよう。
原付。どうも気温は上がったり下がったり。今日はちょっと暖かいほうか。
飯村くんに多久島くんの追試その2をやってもらう。
const power モードで。
データを見せてもらった。ホルダを降ろしていたせいか、
遷移領域は低流量側にある。…って、多久島くんの実験のときに
V-Q 曲線での遷移領域と SiOx (x〜1) 組成が得られる Q がずれてたのはこのせい?
ホワイトボード裏の配線。XPS 部屋に置いてあった j2 の各種 upgrade。
i1〜i3 を廃棄して余ったメモリ (PC-133 の 128M) を j1〜4 (こっちは PC-100 だった。ふーん) に使い回し。
枚数の都合で 1 台だけ PC-100 と PC-133 が混在することになってしまったが、
memtest86+ を試してみた限りでは特に問題なく動いているっぽい。
このへん
とかか。
#5
[debian] uim-skk 要望その後
#6
[labo] コンプレッサー配管
こんどの体験化学教室に真空蒸着装置を使うということで、
激しく今さらだが昨年度末に買ったコンプレッサーを接続するのココロ。
取り出し口は
ガスネジ規格
の 1/4、潤工社のカタログには載ってなかったので、
ニプロシステムに query の fax。まあ継手かな。
#7
病院〜接骨院
原付で梯子。
#8
[paper] 今日拾った論文 (APL 87(1))
high-k の代表である HfO2 系材料の ATR-FTIR 測定と HRTEM 観察。
Si が Si:Hf で 3:7〜6:4 くらい混ざっていて、
かつプラズマ窒化 (詳細はなし) をしたりしなかったり。
んで N2 アニール (@900〜1000℃, 60s) の影響は、ということ。
N が入ると加熱後の SiO2 の生成が抑えられる、ということらしい。
カソードアークで 300 nm の ZnO を着け、carbon をちょい着け、
そんでイオンビームでミリングして tapered rods 構造を作った話。
355nm の excitation で、PL に random laser 発振チックなピーク群が登場、らしい。
モデル計算。
メタルでサンドイッチされたギャップの
SPP モードの速度は両側のプラズマ振動数で決まる。
これからその領域の有効屈折率を導き、
メタルの ωp に分布を作れば Bragg reflector として動作するんでは、
という proposal。
シリカガラスに 60keV の Zn+ を 10^17 cm^-2 doze、んで O2 中 400〜900℃ で 1h アニール。190〜1700nm の absorption と grazing incidence XRD、断面 TEM。
PL で 375nm にシャープなピークが見えている。
流行ってるなあ。作りかた:
The ZnO nanopencils were synthesized via a two-step
pressure controlled vapor phase deposition. A n-type silicon
wafer and zinc powders were inserted into a horizontal
quartz tube. Different from conventional thermal evaporation,
neither tedious catalysts nor additives are needed. A 1
mm gap was set between the sources and the substrate. During
the experiments, the sources were heated at a rate of
20 ℃/min from room temperature carried in by argon with
a flow rate of 54 sccm. Once the temperature was raised to
450 ° C, oxygen was introduced into the chamber with a flow
rate of 3 sccm. The working pressure was kept at 15 Torr.
After heating at 550 ℃ for 30 min, the substrate was slowly
cooled down in furnace and the working pressure was decreased
from 15 to 5 Torr. After the substrate was cooled to
room temperature, the Si wafer was covered with a whitecolored
semitransparent film.
4〜5 V/um の閾値電場で 100 mA/cm^2 レベルの電子放出が得られている。
最近のヘビーローテーション。このペア (Perlman & Barenboim) が K.376 と 377 をやった一枚のやつ
*1
は
D 論書いてた頃にさんざん聞いていたのだけど、
枚数が増えると長い時間流しっぱなしにしておけて大変具合がよろしい。
*1: ちと見つからなんだ。これもグラモフォンのやつのはずなんだけど。
…家に帰ってみたら POCG-1142 のやつだった。しかしググっても引っかからん。絶版?
以上、1 日分です。
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