なかのにっき

原付。信号待ち中にでかいクシャミを連発。どうもまたなんかのアレルギーが出てるくさい。

後半に入って思わずニヤリとし、落ちで再びニヤニヤ。こういう文章はやっぱりセンスがないと書けないと思う。

少々偏りがある気はするが、要は openvpn 使え、と。家から学校にも張っておこうかな (いやしかし自宅は昼間不在だから危ないか)。

そういえば縦長のモニタって最近とんと見なくなったが (昔 Mac に回転できるのがあったような…)、あれってやっぱり使いにくかったんだろうか。オンラインで論文見るときとか、原稿書くときには良さそうな気がするのだが。

10:50～12:00 くらい。真空展のブースを出展されていたところ。真空配管だけじゃなくて、水・油圧などの部品も供給してくれているそうで、ものすごく緊急なもの以外は便利に使えそう。参照: 配管部品.com

大澤くん、柴田くんで 13:30～15:00。

アポロ21世紀、クダラさん。20litter 5600 円+tax。来週前半くらいに配達してくれるとのこと。
東京海上森山さん。ようやく例の事故も収束しそうか。こちらの詳細は秘密日記。
小宮山印刷。返信待ち。→返信来た。ふむふむ。
山本真空。お例と、もしベーカブルケーブルの寸法が違うようならもう一度送ってくれるよう依頼。
バキュームプロダクツ大橋さん。各種ゲージの取り付け位置について打合せ、見積のお願い。

JVST は number の publish 時のお知らせメール機能がないのでチェックが遅れギミ。 Scitation Research Alerts というのができたようだが、有料だし、どうもこちらが望むものとは微妙に違うような。

このへんも DOI 番号が付くようになったので、今後はこっちで。

＠ Reproducible resistive switching in nonstoichiometric nickel oxide films grown by rf reactive sputtering for resistive random access memory applications:

NiO には、抵抗が 2 桁程度変わる現象があるらしい。この実験の場合、製膜直後は低抵抗、～1V 程度で高抵抗に switch (OFF)、 2～4 V くらいで再び低抵抗へスイッチ (ON)。繰り返し時、 ON にしたときの電流 (SET 電流) が大きいと OFF 電圧は高くなるそうな。欠陥を繋いだ経路ができるか、アニールアウトされるかどうかが抵抗変化の原因だ、という議論がされているそうだが。おもしろい。しかしこの XRD はかなりシフト量が大きいな。

＠ Protection schemes for critical surface in vacuum environments:

ロードロックなどの粗排気のときに基板へ付着する particle の抑制について。対象面を下向きにする、対称面と容器壁との gap を狭くすることが有効、とのこと。へー。

＠ Target surface oxide layer formed by reactive sputtering of Ti target in Ar+O2 mixed gas:

北見工大の佐々木先生のグループ。ターゲット表面の酸化層の厚さを He-Ne のエリプソ (と反射スペクトル) で測った話。以前どこかで聞いた覚えが。応物だったかなあ。ターゲットと水冷板との熱接触によって、高電力印加時の酸化層の厚さが違う (接触が悪いと酸化しやすい。というか銀ペーストで付けるとほぼメタルのまま) というのがおもしろい。

＠ In situ x-ray diffraction studies concerning the influence of Al concentration on the texture development during sputter deposition of Ti-Al-N thin films:

成長速度と配向 (001) or (111) の関係は以前にやったそうで (読んだような気も…)、今回は Al 組成による配向への影響。 wurzite が混ざるそうで phase diagram はかなり複雑。つーかちゃんと制御された実験になっているのかどうか。 b.p. 10^-5 Pa ということで、RBS だと 5% 以下の O content だそうだが。

＠ Binary and ternary NiTi-based shape memory films deposited by simultaneous sputter deposition from elemental targets:

形状記憶合金の転移温度 (DSC で測定) の組成依存性。 0.6 Pa で rotated substrate が Ni/Hf/Ti ターゲット上を通過。組成制御は power で。

＠ Multilayer approach to the quantitative analysis of x-ray photoelectron spectroscopy results: Applications to ultrathin SiO2 on Si and to self-assembled monolayers on gold:

基板+2層のモデルの XPS スペクトルから、各ピークの各層における "apparent concentration" が既知という仮定をおけば、全ての層の真の組成がわかる、という話、らしい。しかしどれかピークが複数の層に分散してるときは解けないんじゃないか？あと MFP の値が各層ごとに既知というのは厳しいような。

担当佐藤さんと電話で話し、結果をメンバーへメール。

3 件ほど相談に乗ってみたり。

なかのにっき

2005年10月14日(金) [n年日記]

#1 行き

#2 [URL] 読解いやな法則: 横着をするための労力を惜しんではいけない

#3 [URL] SSL VPN と OpenVPN：多くの嘘とわずかな真実

#4 縦長ノート

#5 [labo] 岡田産業城戸さん森島さん来研

#6 [labo] 輪講

#7 [labo] 諸連絡

#8 [paper] 今日拾った論文 (JVSTA 23(5))