なかのにっき

越田先生のところの PS の高圧水蒸気アニール (260℃、〜2.6 MPa) の話。 PL 発光 (量子効率) の増加、ESR での spin density の減少。 あと PL の decay time が伸びたりもしてるらしい。 passivation されてるのは、やっぱり H-terminated な Si ボンドから H が取れちゃったやつという理解でいいんだろうか？ 水蒸気アニールは、 試料と純水を容器に封じ込めて容器ごと加熱しているかたちらしい。

反応性 rf スパッタで作った n-Si/AlN/Al 構造の C-V にメモリ効果。 Al/N 組成が大きくなると flat band voltage の shift も大きくなっているので、 Al ナノ粒子への charge trapping か〜ということらしい。 Al 電極への正負電圧印加両方で、それぞれの方向への shift が見えるとのこと。 なので、正負いずれの電荷も注入可能、と。 負にかける場合は transient な測定もしていて、 当初は電極から electron が AlN 層へ注入されて ΔV_FB は負にあるが、 時間が経つ (>3s) と n-Si 側から minority carrier の hole が注入されて shift は逆に正になる。うーん、しかし電極からの電荷注入が止まるのはなんで？ あと AlN 中の Al nanoparticle は両方の polarity の charge を持てるのかな？

PECVD による CNT 形成における metal catalyst の役割について、 基板温度を変えたときの Arrehnius plot と MD 計算。 実験での Ea は 0.2〜0.4 eV 程度、 MD で求めた Ni や Co 表面での C の diffusion がその程度、 一方原料ガスの cracking energy は C2H2 で 1.3 eV, CH4 で 0.9 というわけで、 プラズマで crack された C が表面拡散するプロセスが dominant、とのことらしい。

step-kink のある Pt(531) 表面での LEED I-V で、 100 eV くらいまで spot が消えるのは、 vacancy がたくさんあることを考えると説明できる、というお話。 escape depth にも寄るんだろうけど、完全に cancel されることもあるで、 という結果。