なかのにっき
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hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
うは、こう来たか。
入れた。良い感じ。
原付。良い天気だが、やはりまだちょっと寒いな。
もう今日からか。早いなあ。
自分は
My Suica
へ変更しておくと吉、ということらしい。
もう今から勉強するには頭が固くなってて駄目かもしれないけど、
しかし出版されたら購入してみる所存。
適切なレベルの情報発信能力を失った集団は衰退する、ということ。
ちなみに平川さんの件の記事のパーマネントリンクは
こちら
。
#7
[labo] 絶縁破壊計測システム
仲田くんが出てきてくれたので使い方の lecture、
旧システムとの比較をしてもらうことに。
ちゃんと検定してみるかなあ。
#8
[paper] 今日拾った論文 (JJAP p1 (11,12), JJAP p2 (46-50))
JJAP は firefox からだと pdf のリンクがダウンロードにされてしまうのだが、
「Content-disposition: attachment もげ」が付いているからか。
これ inline にしてもらうと良いのかな？ IE-tab の
「リンクを IE に切り替えて開く」を使えば別タブの inline になるのだが、
やっぱりちょっと面倒なので (ちなみに sleipnir もだめだった)。
Si 上に PVD で付けた Ta 上に、(hfac)Cu(tmvs) の CVD で付けた Cu の
in-situ 反射率測定。H2O を添加すると初期段階での反射率が増加する。
SEM 像・XPS 測定も起こない、
水を導入すると OH 基によって CFx 基が脱離する、
そのため nucliation が稠密に起こり、coalescence も起きやすくなる、
…という議論。
Samsung のグループ。磁場の FEM 計算、PIC-MCC でプラズマ計算、
erosion を出して粒子の collisional transport、
んで Dew/Smy のモデルで trench filling、というところ。
gas rarefaction を (ターゲット上一様の近似ではあるが)
入れているのが面白いところ。
実験の堆積プロファイルと比較、なかなか良い感じに一致。
EB 蒸着の MgO の成膜速度を変えて、XRD、断面 SEM、
放電特性を見た話。製膜後に 300 ℃ 1h のアニール。
5Å/s だと (200) 回折ピークが最も強く、
平坦な表面になり、接触角が小さく、放電特性も良い、
という結論だが、例によって放電特性はそれほど顕著には違わない。
構造と速度の関連についての議論は無し。
愛媛大のグループ。水中 RF 放電の OES。Hα と Hβ の強度からプラズマの温度は 4200K だとか、減圧すると電力が小さくても放電するとか、NaCl 溶液でも放電させられるとか、
メチレンブルーを入れて放電すると退色するとか。
真壁先生のグループ。Ar/CF4 50mTorr の 100MHz (300V) CCP による SiO2 エッチングのモデル計算。
test particle MC で基板各所での flux、角度分布を計算し、
トレンチ掘りの形状発展について。
タイトルの通り、polymer の付着と局所帯電の効果を入れるとどうか、
というところが新機軸か。
GaN LD のレビュー。中村修司さんの論文って JJAP が多いのね。
low temperature buffer が breakthru であったと。
広島大。5mTorr 500V でスパッタ、AFM と XRD の評価。
via (0.1-0.2um^2, 0.9um depth) へ付けてアニールした後、
electro depo による埋め込みの実験も。バッファに TiN。
H2 の混合比は 0-40%。Ra 減少、特に高周波成分が減っている。(111) 配向ピークは減少。アニール後の電着埋め込みは改善、アニールのときに H2 が抜けて vacancy となり、
Cu の reflow が起こりやすくなったから、と議論している。
UCSC のグループ。5um サイクルの方形パターンを切ったサファイア上に pulsed lateral epitaxial overgrowth という CVD の派生版で育てた AlN に、
強強度の ArF (193nm) パルスを当てると 0.85nm 幅の強い誘導放出様ピークが
PL スペクトルに現れた、という話。
超臨界 CO2 を利用した Ru 基板への Cu(tmhd)2, Ag(hfac)(COD) からのめっき。
Ag を増やすと膜の Ag 組成も増えるが、
基板との界面付近に Ag が多いらしい。んで連続層を形成するので電気抵抗も良くなるとか。
液晶用の垂直配向なポリイミド層を斜めジェットの大気圧プラズマ処理すると
プレチルト角が出る (処理回数 3 回で 10度、5 回で 90度。ほんとか？)
という話。
#9
[book] 『反社会学講座』パオロ・マッツァリーノ
引き続き読了。こっちの方が刊行は先なのか。
まあ感想は
昨日
と同じ。『つっこみ力』はもう読まなくてもいいかな。
iop.org の journal が取れないので、暇な時間にちょっと調査。
新年度からまた NHK ラジオを聞くかな、と思ってちょいと調査。
rawrec が orphan されて
以来放置していたのだが、bplay に入ってる brec でいけるようだ。
このとき
の rawrec モゲモゲの替わりに
brec -t 1 -s 32000 -b 8 -r
で取れば OK の模様。しかしなんで sid の bplay にはマニュアルがないんだろ？
あとは
このへん
まで凝るかどうかだが。まあ暇な時間との兼ね合いで。
#11
[labo] reboot servers
いや、sound を bios で殺してある babagw で上記をやろうかと一瞬思ったので、
誰もいないのをいいことに surf, babagw, migrate あたりを再起動。
結局 migrate でやることになりそうだが。あほだ。
その時発見したのだが、オンボード LAN が殺してあるのはなんでだろ？
#12
[paper] Google Reader で拾った論文 (JPD 40)
とかやってるうちに復活した。明日読もう。
ということで読んだ。
ベルギー Ghent U のグループ。
ターゲットの subsurface の酸化状態をちゃんと考えてシミュレーションしましょ、
という話。
いつぞや飯村くんが輪講にかけてくれたネタにもそんなのがあったが。
対象は Si。SRIM, TRIDYN あたりについての議論もあるので、
ちゃんと読んでおくべきか。
UK マンチェスター大のグループ。UBM pulse DC magnetron の
B-dot probe から電流評価。
0.74 Pa, 100kHz 55% duty。電流は racetrack 上の jφ (E×B ドリフトによる) が 350A/m^2 相当、jz が 200 A/m^2 相当とか。面白い。
つか static な DC プラズマの racetrack はどうなっとるんじゃろうのお。
Wuttig 先生のとこ。reactive HPPMS での TiOx 作成。
酸素導入と電圧の関係、transient OES、オマケとしてできた膜の誘電関数測定など。
pulse-on を一定にしといて pulse-off を長くすると (power は一定)
メタルモードがより続きやすくなるとか。まあそうすな。
組成はあまり依存せず、粗さは HPPMS がより平坦。
OES と RBS を組み合わせて付着確率を求めた話。
100 mTorr の ICP RF プラズマに dc バイアスした Pd ターゲット (wire 状) を突込んで、
んで OES しつつ基板への堆積速度を見た模様。
基板として Si 酸化膜とか a-C とか SiC とかグラファイトとか。
flux の見積は、probe 測定による ne、OES の位置依存性と、
基板を動かしたときの deporate の変化とから。
結構仮定は入ってるけど、reasonable ではある。
0.4〜0.9、という結果。名大の佐々木先生も同様の結果を出しておられたっけ。
北京大のグループ。同軸のプラズマガンで 1E14 cm^-3 レベルのプラズマを作り、
0.1Pa の窒素中で放電させて Ta(C)N 膜。Ta が内側の電極、グラファイトが外側の電極。おもろい。deporate はどんくらいなんだろか。
原付。寒い。三鷹松屋で晩メシ。
以上、1 日分です。
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