なかのにっき
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hns - 日記自動生成システム - Version 2.19.5
原付。また寒くなったな。
#2
今日のビジネス英会話
月曜の。
be subdued 元気がない、沈んでいる
perturb 不安にする [perturbation →心の動揺→摂動、らしい]
enthuse 熱中する(させる) [vi/vt 両方ある]
habitat 居留地、生息地
hold up under scrutiny 綿密な調査に耐える
on the crest of 〜の尾根 [頂点] に
far-fetched 大げさな、とっぴな
原付。マスクはしたがくさめ連発。やっぱ風邪だろうか。咽頭痛はまだ残り。
星くんと約束した時間に遅刻した。すまぬ。
ベーク開始。
12:50〜15:10 くらいまで。
#6
[dept] mserv その後
小康状態。学科の予算を使って良いということになったので、
dell で見積り。SC840 にしようかと。
#8
[paper] 今日拾った論文 (PRB 74(17-20))
阪大産研田中先生・川合先生のグループ。
極薄 (10-30 nm) にしたときに金属−絶縁体遷移の様子が変わるという話。
TiO2 (001) 上に成長させており、strain/stress のせいであろうと。
ion インプラで生じるダメージ・アモルファス化について議論したもの。
MeV 領域の話なのでちょっと遠いか。
熱の効果と誘起される exiton の効果を評価してモデル化、Si+→LiNO3
の実験結果に対して良い一致をした、としている。
これもインプラにおけるダメージの話。 MD シミュレーションで、
displacement threshold energy 以下でも
ローカルな微妙な原子のずれが生じ、"amorphous pocket" ができるで、
という結論。
TiN barrier layer の電子状態の DFT 計算。
TiN-SiO2 の VB offset は 0.3eV、TiN/m-HfO2 は 1.2eV ということで。
O vacancy があると offset が拡大するとか、他の手法との比較と差異の
起源に関する考察とか。
island の growth/decay の違いから rate 方程式で求めよう、という話。
Si 上に作った Pb mesa (段丘) 上での Pb island を STM 観測し、
モデルにあてはめて 83meV であるという結果。
PLD 製膜した VO2 を THz-Time Domain Spectroscopy という手法で見て
M-I transition について考察した話。遠赤外領域になるのか?
amplitude, phase shift の温度依存性から、
一気に転移するというより、じわじわ metal domain が成長するのであろう、
というような議論。しかし難しい。
#9
今日の英会話上級
urge on to 〜 by ... ...によって〜する気にさせられる
floozy 軽薄な女性
comeback 言い返し
geek 嫌なやつ [そうなのか?(^_^;]
command 運用能力
colloquial 口語の
以上、1 日分です。
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中野武雄 (NAKANO, Takeo) <nakano@st.seikei.ac.jp>
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